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中國石油化工申請一種 CVD 金剛石自支撐膜及其制備方法專利,實現(xiàn)系統(tǒng)長時間穩(wěn)定沉積

金融界2025年3月27日消息,國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,中國石油化工股份有限公司申請一項名為“一種CVD金剛石自支撐膜及其制備方法”的專利,公開號CN119685788...

日期 2025-03-28   

光智科技取得制備多晶金剛石膜沉積臺專利,有效避免微波放電“邊沿效應(yīng)”影響

金融界2025年3月20日消息,國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,安徽光智科技有限公司取得一項名為“種用于制備多晶金剛石膜的沉積臺”的專利,授權(quán)公告號CN222631617U,申...

日期 2025-03-21   

鉑世光取得 MPCVD 碟形腔擴大金剛石沉積面積結(jié)構(gòu)及方法專利

金融界2025年1月7日消息,國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,鉑世光(上海)技術(shù)有限公司取得一項名為“MPCVD碟形腔擴大金剛石沉積面積結(jié)構(gòu)及方法”的專利,授權(quán)公告號CN118...

日期 2025-01-08   

科學(xué)家在離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)構(gòu)筑金剛石-石墨材料研究方面獲進(jìn)展

共價金剛石-石墨材料集合了金剛石和石墨的性質(zhì)優(yōu)勢,能夠?qū)崿F(xiàn)超硬、極韌、導(dǎo)電等優(yōu)越性能組合,在超硬和電子器件領(lǐng)域具有研究和發(fā)展價值。目前,由于金剛石-石墨共價界面能高,主...

日期 2024-05-09   

《金剛石制備 低壓微波等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)獲批立項

《金剛石制備 低壓微波等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)獲批立項
《金剛石制備 低壓微波等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)獲批立項
《金剛石制備 低壓微波等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)獲批立項

4月23日,中國質(zhì)量檢驗協(xié)會發(fā)布通知,《金剛石制備低壓微波等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)順利通過評審,批準(zhǔn)立項。上海鉑世光半導(dǎo)體科技有限公司、上海征世科技股份有限公...

日期 2023-04-26   
采用熱絲化學(xué)氣相沉積法研究鑲嵌單晶金剛石晶片上硼摻雜層的水平和垂直均勻性

采用熱絲化學(xué)氣相沉積法研究鑲嵌單晶金剛石晶片上硼摻雜層的水平和垂直均勻性

為了開發(fā)英寸級金剛石加工技術(shù),采用熱絲化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)在鑲嵌單晶金剛石片上生長了硼摻雜層,與微波等離子...

日期 2022-06-08   
哈爾濱工業(yè)大學(xué)915MHz微波等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(金剛石生長設(shè)備)公開招標(biāo)公告

哈爾濱工業(yè)大學(xué)915MHz微波等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(金剛石生長設(shè)備)公開招標(biāo)公告

哈爾濱工業(yè)大學(xué)915MHz微波等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(金剛石生長設(shè)備)招標(biāo)項目的潛在投標(biāo)人應(yīng)在必聯(lián)網(wǎng)(http...

日期 2021-10-12   

微波等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備及高品質(zhì)金剛石合成與應(yīng)用研究項目順利通過科技成果

微波等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備及高品質(zhì)金剛石合成與應(yīng)用研究項目順利通過科技成果
微波等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備及高品質(zhì)金剛石合成與應(yīng)用研究項目順利通過科技成果
微波等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備及高品質(zhì)金剛石合成與應(yīng)用研究項目順利通過科技成果

2020年12月24日,由第三方科技成果評價機構(gòu)湖南省新材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會組織的“微波等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備及高品質(zhì)金剛石合成與應(yīng)用研究”項目科技成果評價會圓滿召開。該項目...

日期 2021-01-04   

改進(jìn)的化學(xué)氣相沉積生長方法,消除雜質(zhì),制備單層單晶石墨烯!

改進(jìn)的化學(xué)氣相沉積生長方法,消除雜質(zhì),制備單層單晶石墨烯!
改進(jìn)的化學(xué)氣相沉積生長方法,消除雜質(zhì),制備單層單晶石墨烯!
改進(jìn)的化學(xué)氣相沉積生長方法,消除雜質(zhì),制備單層單晶石墨烯!

科學(xué)家們研究了一個真正的單層,即大面積石墨烯薄膜覆蓋在大面積銅箔上。改進(jìn)了化學(xué)氣相沉積(CVD)生長方法,消除了石墨烯生長在銅箔上的所有碳雜質(zhì)。這種均勻“完美”的單層單...

日期 2019-09-05   
Small Methods:具有超高楊氏模量納米金剛石骨架內(nèi)的穩(wěn)定鋰金屬沉積

Small Methods:具有超高楊氏模量納米金剛石骨架內(nèi)的穩(wěn)定鋰金屬沉積

隨著納米材料技術(shù)以及先進(jìn)表征手段的快速發(fā)展,高能量密度的鋰金屬二次電池再次受到廣泛科研關(guān)注者的重視。但是,枝晶狀...

日期 2019-06-03   
化學(xué)氣相沉積的金剛石圓盤是科學(xué)家控制核聚變反應(yīng)不可或缺的材料

化學(xué)氣相沉積的金剛石圓盤是科學(xué)家控制核聚變反應(yīng)不可或缺的材料

圖片所示為,用于核聚變反應(yīng)堆和回旋管中的多晶CVD金剛石圓盤。圖片來源:卡爾斯魯厄理工學(xué)院因為核電能夠給人們提供...

日期 2018-08-07   

化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)梳理

1.化學(xué)氣相沉積CVD的來源及發(fā)展化學(xué)氣相沉積(ChemicalVaporDeposition)中的VaporDeposition意為氣相沉積,其意是指利用氣相中發(fā)生的...

日期 2018-03-07   
CVD / PVD

高定向納米金剛石膜的高功率微波等離子體化學(xué)氣相沉積研究

高定向納米金剛石膜的高功率微波等離子體化學(xué)氣相沉積研究
高定向納米金剛石膜的高功率微波等離子體化學(xué)氣相沉積研究
高定向納米金剛石膜的高功率微波等離子體化學(xué)氣相沉積研究

摘要:采用高功率微波等離子體化學(xué)氣相沉積法制備了高定向的納米金剛石膜,研究了制備過程中促進(jìn)高定向納米金剛石膜的生長條件與生長規(guī)律間的關(guān)聯(lián),并采用掃描電鏡、原子...

日期 2018-02-12   
類金剛石薄膜的沉積設(shè)備

類金剛石薄膜的沉積設(shè)備

申請?zhí)?201720725409.9申請日:2017.06.20申請人:深圳市正和忠信股份有限公司發(fā)明人:阮志明...

日期 2018-02-02   
 一種用于沉積制備金剛石的反應(yīng)器

一種用于沉積制備金剛石的反應(yīng)器

申請?zhí)?一種用于沉積制備金剛石的反應(yīng)器申請日:201720500248.3申請人:2017.04.26發(fā)明人:許...

日期 2018-01-29   
微波等離子體化學(xué)氣相沉積法生長單晶金剛石用的沉積臺

微波等離子體化學(xué)氣相沉積法生長單晶金剛石用的沉積

申請?zhí)?201720707933.3申請日:2017.06.16申請人:北京科技大學(xué)發(fā)明人:李成明;趙云;林亮珍...

日期 2018-01-08   
金屬材料復(fù)合電沉積金剛石磨片

金屬材料復(fù)合電沉積金剛石磨片

申請?zhí)?201720640288.8申請日:2017.06.05申請人:江西中核智能機械技術(shù)有限公司發(fā)明人:國慶...

日期 2018-01-08   
一種化學(xué)氣相沉積鍍制金剛石膜的設(shè)備

一種化學(xué)氣相沉積鍍制金剛石膜的設(shè)備

申請?zhí)?201720497623.3申請日:2017.05.05申請人:寧波工程學(xué)院發(fā)明人:王瑞來;鮑明東;徐雪...

日期 2018-01-02   
 一種用于微波等離子體化學(xué)氣相沉積法制備金剛石膜的基片臺

一種用于微波等離子體化學(xué)氣相沉積法制備金剛石膜的基片臺

申請?zhí)?201720527928.4申請日:2017.05.12申請人:中國工程物理研究院應(yīng)用電子學(xué)研究所發(fā)明人...

日期 2017-12-22   
一種金剛石薄膜的射頻等離子化學(xué)氣相沉積裝置

一種金剛石薄膜的射頻等離子化學(xué)氣相沉積裝置

申請?zhí)?201720267999.5申請日:2017.03.20國家/省市:中國河南(41)主分類號:C23C1...

日期 2017-10-09   
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