申請?zhí)? 201720527928.4

申請日: 2017.05.12   

申請人: 中國工程物理研究院應用電子學研究所

發(fā)明人: 李文君; 周霖; 程云; 馮真; 李春霞; 單李軍; 鄧德榮; 黎明; 楊興繁

      摘要： 

      本實用新型公開一種用于微波等離子體化學氣相沉積法制備金剛石膜的基片臺，屬于晶體合成技術領域。該基片臺置于微波等離子體化學氣相沉積金剛石膜裝置反應腔體內的水冷臺上，其結構包含用于放置沉積基底的中心凹槽、環(huán)形外凸出部、環(huán)形內凸出部、介于內外凸出部之間的環(huán)形凹槽及位于外凸出部外側的外表面。該基片臺獨立于反應腔體及水冷臺，用于放置沉積基底并在其上方形成均勻穩(wěn)定的電場及等離子體分布，提高所制備的金剛石膜的均勻性，同時能夠有效防止基片臺非沉積區(qū)域生成的雜質濺射至沉積基底上污染金剛石膜。本實用新型具有設計制作簡單、能夠制備大面積金剛石膜、易于調節(jié)尺寸以適合制備不同尺寸及厚度的金剛石膜、制備的金剛石膜品質高等優(yōu)點。 

      主權利要求:

      一種用于微波等離子體化學氣相沉積法制備金剛石膜的基片臺，其特征在于包括用于放置沉積基底的中心凹槽、環(huán)形外凸出部、環(huán)形內凸出部、介于內外凸出部之間的環(huán)形凹槽及位于環(huán)形外凸出部外側的外表面；所述環(huán)形外凸出部的高度大于環(huán)形內凸出部的高度；所述環(huán)形外凸出部的外表面為傾斜平面或者弧形面。