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一種金剛石薄膜的射頻等離子化學(xué)氣相沉積裝置

關(guān)鍵詞 金剛石 , 金剛石薄膜|2017-10-09 13:22:24|行業(yè)專利|來源 中國超硬材料網(wǎng)
摘要 申請?zhí)?201720267999.5申請日:2017.03.20國家/省市:中國河南(41)主分類號:C23C16/507(2006.01)授權(quán)公告號:206512273U授權(quán)公告...

申請?zhí)? 201720267999.5

申請日: 2017.03.20

國家/省市: 中國河南(41)

主分類號: C23C 16/507(2006.01)

授權(quán)公告號: 206512273U

授權(quán)公告日: 2017.09.22

分類號: C23C 16/507(2006.01)

申請人: 鄭州嘉晨化工科技有限公司

發(fā)明人: 皮超杰; 徐國龍; 夏震

申請人地址: 河南省鄭州市新鄭市龍湖鎮(zhèn)中原工學(xué)院大學(xué)科技園10號樓


摘要: 本實(shí)用新型公開了一種金剛石薄膜的射頻等離子化學(xué)氣相沉積裝置,包括CVD反應(yīng)室,所述CVD反應(yīng)室的內(nèi)壁上設(shè)置有磁感應(yīng)線圈,所述CVD反應(yīng)室的底部設(shè)置有反應(yīng)臺,所述反應(yīng)臺的頂部設(shè)置有升降臺,所述升降臺的頂部設(shè)置有基體。本實(shí)用新型通過設(shè)置在CVD反應(yīng)室上的真空泵和壓力表,可對CVD反應(yīng)室內(nèi)的壓力進(jìn)行控制,使CVD反應(yīng)室的壓力保持在0.13Pa左右,在負(fù)偏壓作用下沉積到基體上形成金剛石薄膜,在低壓下生成的金剛石薄膜,厚度均勻、生產(chǎn)效率高、沉積速率高、穩(wěn)定性好、可調(diào)性和重復(fù)性好,保證金剛石薄膜的質(zhì)量,通過設(shè)置的均速噴氣噴頭,可將射頻等離子發(fā)生器內(nèi)的等離子均速噴在基體上,有效提高基體上形成的金剛石薄膜厚度均勻性和穩(wěn)定性。


主權(quán)利要求

1.一種金剛石薄膜的射頻等離子化學(xué)氣相沉積裝置,包括CVD反應(yīng)室(1)和反應(yīng)氣體混合器(4),其特征在于:所述CVD反應(yīng)室(1)的內(nèi)壁上設(shè)置有磁感應(yīng)線圈(2),所述CVD反應(yīng)室(1)的底部設(shè)置有反應(yīng)臺(3),所述反應(yīng)臺(3)的頂部設(shè)置有升降臺(14),所述升降臺(14)的頂部設(shè)置有基體(13),所述基體(13)和升降臺(14)之間設(shè)置有襯底(12),所述反應(yīng)氣體混合器(4)通過管道連接有甲烷氣體罐(6)和氫氣罐(7),所述甲烷氣體罐(6)和氫氣罐(7)與反應(yīng)氣體混合器(4)之間均設(shè)置有流量計,所述反應(yīng)氣體混合器(4)的出口通過管道連接有射頻等離子發(fā)生器(8),所述射頻等離子發(fā)生器(8)通過波導(dǎo)(9)與CVD反應(yīng)室(1)連接。

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