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氮?dú)鈱?duì)DC-PCVD法制備金剛石薄膜影響的研究

氮?dú)鈱?duì)DC-PCVD法制備金剛石薄膜影響的研究
氮?dú)鈱?duì)DC-PCVD法制備金剛石薄膜影響的研究
氮?dú)鈱?duì)DC-PCVD法制備金剛石薄膜影響的研究

【摘要】采用直流熱陰極等離子體化學(xué)氣相沉積方法,用甲烷、氫氣、氮?dú)獾幕旌蠚怏w在Mo基底上成功制備了金剛石薄膜。分別采用掃描電子顯微鏡(SEM)、X射線衍射儀(XRD)、...

日期 2011-08-30   

微波CVD金剛石薄膜用作LED散熱片的制備

微波CVD金剛石薄膜用作LED散熱片的制備
微波CVD金剛石薄膜用作LED散熱片的制備
微波CVD金剛石薄膜用作LED散熱片的制備

摘要由于金剛石具有室溫下最高的熱導(dǎo)率,因此用化學(xué)氣相沉積(CVD)制備的金剛石膜是大功率發(fā)光二極管理想的散熱材料。本文利用微波等離子體CVD研究了不同沉積工藝下金剛石薄...

日期 2011-07-20   

金剛石薄膜的發(fā)展、制備及應(yīng)用

王麗軍,段新超,張雷,王隆洋,王小平(上海理工大學(xué)理學(xué)院,上海200093)[摘要]簡(jiǎn)要介紹了金剛石薄膜的發(fā)展,總結(jié)了金剛石薄膜的幾種主要制備工藝并對(duì)各種工藝的優(yōu)、缺點(diǎn)...

日期 2011-07-16   

CVD金剛石薄膜產(chǎn)品

CVD金剛石薄膜產(chǎn)品
CVD金剛石薄膜產(chǎn)品
CVD金剛石薄膜產(chǎn)品

一、CVD金剛石薄膜片及制品1、CVD金剛石薄膜片CVD金剛石即化學(xué)氣相沉積金剛石,CVD金剛石不含任何金屬或非金屬添加劑,具有最高的硬度、高耐磨性、易于加工,同時(shí)具有...

日期 2011-07-14   

光伏未來(lái)將走進(jìn)薄膜時(shí)代

晶體硅和薄膜太陽(yáng)能光伏電池是現(xiàn)在乃至未來(lái)十年的兩大主要技術(shù)陣營(yíng),晶體硅太陽(yáng)能電池以高轉(zhuǎn)化效率在過(guò)去和現(xiàn)在都主導(dǎo)著光伏市場(chǎng)。而薄膜電池在原有轉(zhuǎn)化效率上突破性的進(jìn)展以及相對(duì)...

日期 2010-12-28   

金剛石薄膜片狀溫度電阻器

名稱金剛石薄膜片狀溫度電阻器公開(kāi)號(hào)2261066公開(kāi)日1997.08.27主分類號(hào)H01C7/04

日期 2010-12-24   

金剛石-鉑薄膜型電極

名稱金剛石-鉑薄膜型電極公開(kāi)號(hào)2155019公開(kāi)日1994.02.02主分類號(hào)G01N27/30

日期 2010-12-24   

在藍(lán)寶石襯底上異質(zhì)外延生長(zhǎng)碳化硅薄膜的方法

名稱在藍(lán)寶石襯底上異質(zhì)外延生長(zhǎng)碳化硅薄膜的方法公開(kāi)號(hào)1369904公開(kāi)日2002.09.18主分類號(hào)H01L21/3

日期 2010-12-24   

單晶碳化硅薄膜的制造方法及制造設(shè)備

名稱單晶碳化硅薄膜的制造方法及制造設(shè)備公開(kāi)號(hào)1393907公開(kāi)日2003.01.29主分類號(hào)H01L21/08&nb

日期 2010-12-24   

納米金剛石薄膜高頻手術(shù)刀

名稱納米金剛石薄膜高頻手術(shù)刀公開(kāi)號(hào)2481292公開(kāi)日2002.03.13主分類號(hào)A61B18/12

日期 2010-12-23   

用硅襯底β碳化硅晶體薄膜生長(zhǎng)碳化硅單晶體

名稱用硅襯底β碳化硅晶體薄膜生長(zhǎng)碳化硅單晶體公開(kāi)號(hào)1224084公開(kāi)日1999.07.28主分類號(hào)C30B

日期 2010-12-23   

沉積類金剛石薄膜的鍍膜機(jī)

名稱沉積類金剛石薄膜的鍍膜機(jī)公開(kāi)號(hào)2408126公開(kāi)日2000.11.29主分類號(hào)C23C14/24

日期 2010-12-23   

用于軟薄膜的刀刃為鋸齒形的安全刀具

名稱用于軟薄膜的刀刃為鋸齒形的安全刀具公開(kāi)號(hào)1192422公開(kāi)日1998.09.09主分類號(hào)B65H35/06&nb

日期 2010-12-22   

薄膜開(kāi)孔刀具

名稱薄膜開(kāi)孔刀具公開(kāi)號(hào)2328488公開(kāi)日1999.07.14主分類號(hào)B26F1/08

日期 2010-12-22   

回旋電子增強(qiáng)熱絲化學(xué)氣相沉積制備金剛石薄膜的方法

名稱回旋電子增強(qiáng)熱絲化學(xué)氣相沉積制備金剛石薄膜的方法公開(kāi)號(hào)1355330公開(kāi)日2002.06.26主分類號(hào)C23C1

日期 2010-12-21   

光子-熱絲化學(xué)氣相沉積生長(zhǎng)大面積金剛石薄膜的方法

名稱光子-熱絲化學(xué)氣相沉積生長(zhǎng)大面積金剛石薄膜的方法公開(kāi)號(hào)1355329公開(kāi)日2002.06.26主分類號(hào)C23C1

日期 2010-12-21   

用于電極的導(dǎo)電金剛石薄膜及其制備方法

名稱用于電極的導(dǎo)電金剛石薄膜及其制備方法公開(kāi)號(hào)1341774公開(kāi)日2002.03.27主分類號(hào)C23C16/27&n

日期 2010-12-16   

納米金剛石薄膜的制備裝置

名稱納米金剛石薄膜的制備裝置公開(kāi)號(hào)1332268公開(kāi)日2002.01.23主分類號(hào)C23C16/27

日期 2010-12-16   

金剛石薄膜冷陰極結(jié)構(gòu)及其制備方法

名稱金剛石薄膜冷陰極結(jié)構(gòu)及其制備方法公開(kāi)號(hào)1274020公開(kāi)日2000.11.22主分類號(hào)C23C16/513&nb

制備類金剛石薄膜的裝置

名稱制備類金剛石薄膜的裝置公開(kāi)號(hào)1266107公開(kāi)日2000.09.13主分類號(hào)C23C14/06

日期 2010-12-10   
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