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官方微信摘要 名稱納米金剛石薄膜的制備裝置公開號1332268公開日2002.01.23主分類號C23C16/27
| 名稱 | 納米金剛石薄膜的制備裝置 | ||
| 公開號 | 1332268 | 公開日 | 2002.01.23 |
| 主分類號 | C23C16/27 | 分類號 | C23C16/27;C23C16/50 |
| 申請?zhí)?/strong> | 01126358.X | ||
| 分案原申請?zhí)?/strong> | 申請日 | 2001.07.27 | |
| 頒證日 | 優(yōu)先權 | ||
| 申請人 | 中國科學院上海光學精密機械研究 | 地址 | 201800上海市800－211郵政信箱 |
| 發(fā)明人 | 龔輝;范正修 | 國際申請 | |
| 國際公布 | 進入國家日期 | ||
| 專利代理機構 | 上海華東專利事務所 | 代理人 | 李蘭英 |
| 摘要 | 一種納米金剛石薄膜的制備裝置，主要適用于在硅基板上制備大面積均勻納米金剛石薄膜。它包括帶有進氣口和抽氣口的反應爐體，反應爐體內充有氫氣和甲烷的混合氣體，并置有相互平行置放的正極板和負極板，在正極板和負極板處分別置有熱絲和基板。正與負極板之間連接有啟輝器和電壓調節(jié)器。當正負兩極板之間的啟輝器產生瞬間高壓時，激活了反應爐體內的氫氣和甲烷的混合氣體，產生等離子體，調節(jié)正負兩極板間的電壓調節(jié)器，控制兩極板之間的電流恒定，致使反應爐體內的等離子體活化區(qū)穩(wěn)定。用本發(fā)明的制備裝置生長出的納米金剛石薄膜比在先技術生長的薄膜晶粒尺寸小、表面粗糙度小、內應力小、面積大而均勻 | ||
豫公網安備41019702003646號