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官方微信摘要 名稱單晶碳化硅薄膜的制造方法及制造設(shè)備公開號(hào)1393907公開日2003.01.29主分類號(hào)H01L21/08&nb
| 名稱 | 單晶碳化硅薄膜的制造方法及制造設(shè)備 | ||
| 公開號(hào) | 1393907 | 公開日 | 2003.01.29 |
| 主分類號(hào) | H01L21/08 | 分類號(hào) | H01L21/08;H01L21/283;H01L21/441;C30B29/36 |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 02122817.5 | ||
| 分案原申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 申請(qǐng)日 | 2002.06.06 | |
| 頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | [32]2001.6.6[33]JP[31]2001-171126 | |
| 申請(qǐng)人 | 大阪府;星電器制造株式會(huì)社 | 地址 | 日本大阪府 |
| 發(fā)明人 | 泉?jiǎng)倏?中尾基;大林義昭;峯啓治 | 國際申請(qǐng) | |
| 國際公布 | 進(jìn)入國家日期 | ||
| 專利代理機(jī)構(gòu) | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人 | 周承澤 |
| 摘要 | 一種制造單晶碳化硅薄膜的設(shè)備，包括適于接受成膜用的SOI基材100的成膜室200、向成膜室200提供制造單晶碳化硅薄膜所需的各種氣體G1-G4的供氣裝置300、用于處理供給成膜室200的作為惰性氣體G1的氬氣、作為烴基氣體G2 的丙烷氣體、作為載氣G3的氫氣和氧氣G4的氣體處理裝置500和控制成膜室200 溫度的溫控裝置400。 | ||
豫公網(wǎng)安備41019702003646號(hào)