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官方微信摘要 名稱在藍(lán)寶石襯底上異質(zhì)外延生長(zhǎng)碳化硅薄膜的方法公開號(hào)1369904公開日2002.09.18主分類號(hào)H01L21/3
| 名稱 | 在藍(lán)寶石襯底上異質(zhì)外延生長(zhǎng)碳化硅薄膜的方法 | ||
| 公開號(hào) | 1369904 | 公開日 | 2002.09.18 |
| 主分類號(hào) | H01L21/365 | 分類號(hào) | H01L21/365 |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 01106742.X | ||
| 分案原申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 申請(qǐng)日 | 2001.02.14 | |
| 頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | ||
| 申請(qǐng)人 | 西安電子科技大學(xué) | 地址 | 710071陜西省西安市太白路2號(hào) |
| 發(fā)明人 | 郝躍;彭軍 | 國(guó)際申請(qǐng) | |
| 國(guó)際公布 | 進(jìn)入國(guó)家日期 | ||
| 專利代理機(jī)構(gòu) | 陜西電子工業(yè)專利中心 | 代理人 | 王品華 |
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種在藍(lán)寶石襯底上異質(zhì)外延生長(zhǎng)半導(dǎo)體碳化硅薄膜的方法。主要解決在藍(lán)寶石襯底上直接生長(zhǎng)碳化硅薄膜時(shí)薄膜與襯底之間粘附性差，不易核生長(zhǎng)的缺陷。提出一種在藍(lán)寶石襯底與SiC薄膜之間介入一層緩沖層作為過(guò)渡，以減少晶格失配的生長(zhǎng)碳化硅薄膜的方法，即在藍(lán)寶石襯底上先淀積一層AlN材料作為緩沖層，形成復(fù)合襯底，再在其復(fù)合襯底上外延生長(zhǎng)SiC薄膜，形成藍(lán)寶石－緩沖層－碳化硅三層結(jié)構(gòu)，在藍(lán)寶石AlN復(fù)合襯底上得到單結(jié)晶的6H－SiC薄膜。本發(fā)明在藍(lán)寶石－氮化鋁復(fù)合襯底上已經(jīng)得到的單結(jié)晶碳化硅薄膜，具有明顯優(yōu)于在硅襯底上得到的薄膜質(zhì)量，其應(yīng)力低于在硅襯底上得到SiC應(yīng)力的5倍，折射率在正常的SiC薄膜范圍內(nèi)之優(yōu)點(diǎn)，是制作SiCOI CMOS器件的重要技術(shù)，且可保證器件的穩(wěn)定性和可靠性。 | ||
豫公網(wǎng)安備41019702003646號(hào)