名稱 | 金剛石薄膜冷陰極結(jié)構(gòu)及其制備方法 | ||
公開號(hào) | 1274020 | 公開日 | 2000.11.22 |
主分類號(hào) | C23C16/513 | 分類號(hào) | C23C16/513 |
申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 00107439.3 | ||
分案原申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 申請(qǐng)日 | 2000.05.15 | |
頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | ||
申請(qǐng)人 | 北京工業(yè)大學(xué) | 地址 | 100022北京市朝陽區(qū)平樂園100號(hào) |
發(fā)明人 | 陳光華; 張陽 | 國際申請(qǐng) | |
國際公布 | 進(jìn)入國家日期 | ||
專利代理機(jī)構(gòu) | 北京工業(yè)大學(xué)專利代理事務(wù)所 | 代理人 | 張慧 |
摘要 | 一種金剛石薄膜冷陰極結(jié)構(gòu)及其制備方法屬于場(chǎng)致電子發(fā)射技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的金剛石薄膜冷陰極結(jié)構(gòu),包括金屬襯底和金剛石晶粒,其特征為采用金屬Cu 作襯底且在金屬襯底上若干個(gè)熔融的小孔內(nèi)生長(zhǎng)出金剛石晶粒。其制備方法包括用微波等離子體清洗Cu,使Cu熔融形成小孔,然后采用常規(guī)方法使金剛石晶粒在所限定的小孔內(nèi)成核、生長(zhǎng)。用該方法制備出的單晶金剛石薄膜冷陰極結(jié)構(gòu),具有閾值電壓低、場(chǎng)發(fā)射電流密度大且制備溫度低的特點(diǎn)。 |