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官方微信摘要 名稱用硅襯底β碳化硅晶體薄膜生長(zhǎng)碳化硅單晶體公開號(hào)1224084公開日1999.07.28主分類號(hào)C30B
| 名稱 | 用硅襯底β碳化硅晶體薄膜生長(zhǎng)碳化硅單晶體 | ||
| 公開號(hào) | 1224084 | 公開日 | 1999.07.28 |
| 主分類號(hào) | C30B19/00 | 分類號(hào) | C30B19/00 |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 98112814.9 | ||
| 分案原申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 申請(qǐng)日 | 1998.01.23 | |
| 頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | ||
| 申請(qǐng)人 | 西安理工大學(xué) | 地址 | 710048陜西省西安市金花南路 |
| 發(fā)明人 | 陳治明 | 國(guó)際申請(qǐng) | |
| 國(guó)際公布 | 進(jìn)入國(guó)家日期 | ||
| 專利代理機(jī)構(gòu) | 西安理工大學(xué)專利事務(wù)所 | 代理人 | 楊引雪; 倪金榮 |
| 摘要 | 本發(fā)明利用硅襯底上異質(zhì)外延的β碳化硅晶體薄膜生長(zhǎng)碳化硅單晶體，屬于晶體制備技術(shù)領(lǐng)域，是針對(duì)碳化硅這種難熔、難制晶體提出的一種特殊方法。這種方法把３Ｃ－ＳiＣ異質(zhì)外延單晶薄層及其硅襯底作為一體化的液相外延襯底和源，利用硅襯底熔化后溶解石墨坩堝壁形成的碳飽和溶液，實(shí)現(xiàn)以β－ＳiＣ外延薄膜為籽晶進(jìn)行的碳化硅晶體單面拋光的低溫、低成本生長(zhǎng)。由于生長(zhǎng)過程只涉及高純石墨和硅片，可避免升華法生長(zhǎng)碳化硅的高度雜質(zhì)補(bǔ)償。 | ||
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