近日,西安電子科技大學(xué)郝躍院士團(tuán)隊(duì)張進(jìn)成教授、張金風(fēng)教授研究組在超寬禁帶半導(dǎo)體金剛石功率器件方向取得重要進(jìn)展。在國(guó)際知名期刊《IEEEElectronDeviceLet...
隨著電子器件功率密度的不斷提升,尤其是在5G通信、電動(dòng)汽車(chē)、高功率激光器、雷達(dá)和航空航天等領(lǐng)域,對(duì)高效散熱解決方...
在當(dāng)今科技飛速發(fā)展的時(shí)代,高功率器件的應(yīng)用越來(lái)越廣泛,從通信領(lǐng)域的射頻功率放大器到激光技術(shù)中的高功率激光器,從先...
在當(dāng)今快速發(fā)展的電子科技領(lǐng)域,材料創(chuàng)新是推動(dòng)技術(shù)進(jìn)步的重要驅(qū)動(dòng)力。金剛石,這一集力學(xué)、電學(xué)、熱學(xué)、光學(xué)、聲學(xué)及耐...
導(dǎo)讀隨著功率器件集成化、小型化,散熱問(wèn)題成為限制器件性能以及穩(wěn)定性的瓶頸,其中值得關(guān)注的一個(gè)問(wèn)題是:器件表面的熱源分布是不均勻的,存在一個(gè)或者多個(gè)熱流密度顯著高于其他區(qū)...
氮化鎵(GaN)現(xiàn)在很火。而更火的是,為了進(jìn)一步提高GaN的性能,不同廠商競(jìng)相將GaN與其他材料集成在一起。“無(wú)論是在器件級(jí)還是系統(tǒng)級(jí),金剛石基氮化鎵都可以提供高導(dǎo)熱率...
2006年,美國(guó)Cree公司的Wu等人研制的GaN基高電子遷移率晶體管(HEMT),4GHz時(shí)的輸出功率密度達(dá)到41.4W/mm。近十多年來(lái),氮化鎵(GaN)的研究熱潮...
鉆石因其耀眼的美感而備受追捧,通常以精美的珠寶展示。但是,這種固體碳也因其出色的物理和電子特性而聞名。在日本,由...
鉆石通常作為華麗的珠寶陳列而示。但是這種固體碳也以其優(yōu)異的物理和電子性能而聞名。在日本,由KyoYoshida領(lǐng)...
近日,北卡羅來(lái)納州立大學(xué)的材料研究人員已經(jīng)開(kāi)發(fā)出一種對(duì)新技術(shù),將金剛石沉積在立方體氮化硼表面(c-BN),結(jié)合成一個(gè)新的單晶體結(jié)構(gòu)。“這種材料可以
日本東京大學(xué)近日研發(fā)新型碳化硅絕緣薄膜生長(zhǎng)技術(shù),極大地改善了碳化硅功率器件的性能。高性能功率器件常用在高壓、大電...
中國(guó)首次實(shí)現(xiàn)碳化硅大功率器件的批量生產(chǎn),在以美、歐、日為主導(dǎo)的半導(dǎo)體領(lǐng)域形成突破。業(yè)內(nèi)專(zhuān)家指出,這一突破有望緩解中國(guó)的能源危機(jī)。泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技(北京)有限公司G2S...
名稱(chēng)利用注入和橫向擴(kuò)散制造碳化硅功率器件的自對(duì)準(zhǔn)方法公開(kāi)號(hào)1304551公開(kāi)日2001.07.18主分類(lèi)號(hào)H01L2
名稱(chēng)通過(guò)受控退火制造碳化硅功率器件的方法公開(kāi)號(hào)1304546公開(kāi)日2001.07.18主分類(lèi)號(hào)H01L21/04&n
2月7日,中國(guó)超硬材料網(wǎng)總經(jīng)理石超一行走進(jìn)鄭州沃德超硬材料有...
10月28日,中國(guó)超硬材料網(wǎng)總經(jīng)理石超、顧問(wèn)呂華偉、南陽(yáng)富櫳...
中國(guó)超硬材料網(wǎng)將通過(guò)一件件大事件回顧2023年的超硬材料行業(yè)華麗蝶變,在回顧和盤(pán)點(diǎn)中,溫故知新!
2023年9月20日,時(shí)隔四年,期待已久的第六屆磨料磨具磨削展覽會(huì)在鄭州國(guó)際會(huì)展中心隆重開(kāi)幕。本次展覽會(huì)由中國(guó)機(jī)械工業(yè)集團(tuán)有限公司、國(guó)機(jī)精工股份有限公司、中國(guó)機(jī)械國(guó)際合作股份有限公司聯(lián)合主辦。旨在推動(dòng)中國(guó)磨料磨具行業(yè)的快速發(fā)展,加強(qiáng)國(guó)內(nèi)外企業(yè)的交流與合作。