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通過(guò)受控退火制造碳化硅功率器件的方法

關(guān)鍵詞 碳化硅 , 功率器件|2010-12-23 00:00:00|行業(yè)專(zhuān)利|來(lái)源 中國(guó)超硬材料網(wǎng)
摘要 名稱(chēng)通過(guò)受控退火制造碳化硅功率器件的方法公開(kāi)號(hào)1304546公開(kāi)日2001.07.18主分類(lèi)號(hào)H01L21/04&n

 

名稱(chēng) 通過(guò)受控退火制造碳化硅功率器件的方法 
公開(kāi)號(hào) 1304546  公開(kāi)日 2001.07.18   
主分類(lèi)號(hào) H01L21/04  分類(lèi)號(hào) H01L21/04 
申請(qǐng)?zhí)?/strong> 99807101.3 
分案原申請(qǐng)?zhí)?/strong>   申請(qǐng)日 1999.06.07   
頒證日   優(yōu)先權(quán) 1998.6.8 US 09/093,208 
申請(qǐng)人 克里公司  地址 美國(guó)北卡羅來(lái)納州 
發(fā)明人 A·V·蘇沃羅夫;J·W·帕穆?tīng)?R·辛格  國(guó)際申請(qǐng) PCT/US99/12713 1999.6.7 
國(guó)際公布 WO99/67825 英 1999.12.29  進(jìn)入國(guó)家日期 2000.12.07  
專(zhuān)利代理機(jī)構(gòu) 中國(guó)專(zhuān)利代理(香港)有限公司  代理人 陳霽;王忠忠 
摘要   掩蔽碳化硅襯底的表面,在襯底限定開(kāi)口,通過(guò)該開(kāi)口,以能夠形成深p型注入的注入能量和劑量,向碳化硅襯底中注入p型摻雜劑,并且通過(guò)該開(kāi)口,以能夠相對(duì)于深p型注入形成淺n型注入的能量和劑量,向碳化硅襯底中注入n型摻雜劑,由此制造碳化硅功率器件。在低于1650 ℃但較好高于約1500℃的溫度下,退火深p型注入和淺n型注入。退火時(shí)間較好在約5分鐘至約30分鐘。也可以將從室溫到退火溫度的升溫時(shí)間控制在少于約100分鐘但多于約30分鐘。也可以通過(guò)在少于約2 分鐘的時(shí)間內(nèi)將溫度從退火溫度降低到低約1500℃控制退火后的降溫時(shí)間。通過(guò)控制升溫時(shí)間、退火時(shí)間和/或溫度和/或降溫時(shí)間,可以制造高性能的碳化硅功率器件。   
 

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