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利用注入和橫向擴(kuò)散制造碳化硅功率器件的自對(duì)準(zhǔn)方法

關(guān)鍵詞碳化硅功率器件 , 自對(duì)準(zhǔn)方法 |2010-12-23 00:00:00|行業(yè)專利|來(lái)源中國(guó)超硬材料網(wǎng)

摘要名稱利用注入和橫向擴(kuò)散制造碳化硅功率器件的自對(duì)準(zhǔn)方法公開(kāi)號(hào)1304551公開(kāi)日2001.07.18主分類號(hào)H01L2

名稱	利用注入和橫向擴(kuò)散制造碳化硅功率器件的自對(duì)準(zhǔn)方法
公開(kāi)號(hào)	1304551	公開(kāi)日	2001.07.18
主分類號(hào)	H01L21/336	分類號(hào)	H01L21/336
申請(qǐng)?zhí)?/strong>	99807102.1
分案原申請(qǐng)?zhí)?/strong>		申請(qǐng)日	1999.06.07
頒證日		優(yōu)先權(quán)	1998.6.8 US 09/093,207
申請(qǐng)人	克里公司	地址	美國(guó)北卡羅來(lái)納州
發(fā)明人	A·V·蘇沃羅夫;J·W·帕爾穆?tīng)?R·辛格	國(guó)際申請(qǐng)	PCT/US99/12714 1999.6.7
國(guó)際公布	WO99/65073 英 1999.12.16	進(jìn)入國(guó)家日期	2000.12.07
專利代理機(jī)構(gòu)	中國(guó)專利代理(香港)有限公司	代理人	陳霽;張志醒
摘要	通過(guò)掩模中的開(kāi)口在碳化硅襯底中注入p型摻雜劑，形成深p型注入，從而制造碳化硅功率器件。N型摻雜劑通過(guò)掩模中相同開(kāi)口注入到碳化硅襯底中，相對(duì)于深p型注入形成淺n型注入。以足以使深 p型注入橫向擴(kuò)散到包圍淺n型注入的碳化硅襯底表面的溫度和時(shí)間，進(jìn)行退火，同時(shí)不使p型注入通過(guò)淺n型注入縱向擴(kuò)散到碳化硅襯底表面。因此，通過(guò)離子注入可以進(jìn)行自對(duì)準(zhǔn)淺和深注入，通過(guò)促使具有高擴(kuò)散系數(shù)的p型摻雜充分?jǐn)U散，同時(shí)具有低擴(kuò)散系數(shù)的n 型摻雜劑保持相對(duì)固定的退火，可以形成很好控制的溝道。因此，可以在n型源周圍形成p－基區(qū)?？梢灾圃鞕M向和縱向功率MOSFETs。

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