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金剛石基GaN技術解決熱管理散熱難題

金剛石基GaN技術解決熱管理散熱難題

在當今科技飛速發(fā)展的時代,電子器件的性能提升備受關注,而散熱問題始終是制約其發(fā)展的關鍵因素之一。氮化鎵(GaN)...

日期 2025-03-25   
深入解析 GaN 器件金剛石近結散熱技術:鍵合、生長、鈍化生長

深入解析 GaN 器件金剛石近結散熱技術:鍵合、生長、鈍化生長

在追求更高功率密度和更優(yōu)性能的電子器件領域,GaN(氮化鎵)器件因其卓越的性能而備受矚目。然而,隨著功率密度的不...

日期 2025-01-16   

金剛石/GaN異質外延技術:突破與挑戰(zhàn)

金剛石/GaN異質外延技術:突破與挑戰(zhàn)
金剛石/GaN異質外延技術:突破與挑戰(zhàn)
金剛石/GaN異質外延技術:突破與挑戰(zhàn)

在半導體技術的前沿領域,金剛石/GaN異質外延技術正受到廣泛關注。異質外延技術通常需要在外延表面沉積緩沖層,包括金剛石異質外延GaN技術和GaN底面異質外延金剛石技術。...

日期 2024-10-25   

金剛石/GaN鍵合技術大解密!

金剛石/GaN鍵合技術大解密!
金剛石/GaN鍵合技術大解密!
金剛石/GaN鍵合技術大解密!

目前,金剛石與GaN功率器件的集成通常從兩方面進行,一是GaN頂部的器件層散熱,主要應用金剛石鈍化散熱技術,金剛石鈍化散熱是直接在器件頂部沉積金剛石,提高熱點頂部的熱擴...

日期 2024-10-23   

從SiC到GaN,硬脆材料激光剝離技術該往何處發(fā)展?

從SiC到GaN,硬脆材料激光剝離技術該往何處發(fā)展?
從SiC到GaN,硬脆材料激光剝離技術該往何處發(fā)展?
從SiC到GaN,硬脆材料激光剝離技術該往何處發(fā)展?

透明硬脆材料由于其出色的機械強度、熱穩(wěn)定性、抗腐蝕性以及優(yōu)良的光電性能,已被廣泛應用于半導體和電子器件制造領域。然而,傳統(tǒng)的切片工藝,如金剛線切割,存在效率低、材料浪費...

日期 2024-10-17   

金剛石基板上的GaN晶體管,散熱性能提高2.3倍

金剛石基板上的GaN晶體管,散熱性能提高2.3倍
金剛石基板上的GaN晶體管,散熱性能提高2.3倍
金剛石基板上的GaN晶體管,散熱性能提高2.3倍

氮化鎵(GaN)晶體管在工作過程中產生的熱量和由此引起的溫升會導致性能下降并縮短器件的壽命,因此亟需開發(fā)有效的散熱方法。金剛石具有極高的導熱率,有望作為半導體元件的散熱...

日期 2023-12-21   

『研究』金剛石寬禁帶半導體帶來的革命性變革:金剛石基GaN

『研究』金剛石寬禁帶半導體帶來的革命性變革:金剛石基GaN!
『研究』金剛石寬禁帶半導體帶來的革命性變革:金剛石基GaN!
『研究』金剛石寬禁帶半導體帶來的革命性變革:金剛石基GaN!

材料往往因特定優(yōu)勢而聞名。金剛石正因為在室溫下具有最高的熱導率(2000W/m.K),兼具帶隙寬、擊穿場強高、載流子遷移率高、耐高溫、抗酸堿、抗腐蝕、抗輻照等優(yōu)越性能,...

日期 2023-06-21   

這項拋光技術獲獎,可用于SiC和GaN

這項拋光技術獲獎,可用于SiC和GaN
這項拋光技術獲獎,可用于SiC和GaN
這項拋光技術獲獎,可用于SiC和GaN

在“SEMICONJapan2022”(2022年12月14日至16日,東京國際展示場)上,首次舉辦了“學術獎”,以表彰有前途的大學/研究生院半導體研究。最高獎頒發(fā)給大...

日期 2023-01-09   
“一種GaN與金剛石復合散熱結構的制備方法”獲黑龍江省專利金獎

“一種GaN與金剛石復合散熱結構的制備方法”獲黑龍江省專利金獎

近日,黑龍江省政府印發(fā)《黑龍江省人民政府關于第一屆黑龍江省專利獎授獎的決定》(黑政發(fā)〔2022〕24號),授予“...

日期 2022-10-10   
日本大阪市立大學等成功制造金剛石鍵合GaN晶體管

日本大阪市立大學等成功制造金剛石鍵合GaN晶體管

近日,大阪市立大學(OsakaCityUniversity)、東北大學、AirWater通過對金剛石鍵合的氮化鎵...

金剛石寬禁帶半導體帶來的革命性變革:金剛石基GaN!

金剛石寬禁帶半導體帶來的革命性變革:金剛石基GaN!
金剛石寬禁帶半導體帶來的革命性變革:金剛石基GaN!
金剛石寬禁帶半導體帶來的革命性變革:金剛石基GaN!

材料往往因特定優(yōu)勢而聞名。金剛石正因為在室溫下具有最高的熱導率(2000W/m.K),兼具帶隙寬、擊穿場強高、載流子遷移率高、耐高溫、抗酸堿、抗腐蝕、抗輻照等優(yōu)越性能,...

日期 2022-03-28   
全球首款多單元結構金剛石基GaN HEMT發(fā)布

全球首款多單元結構金剛石基GaN HEMT發(fā)布

據(jù)麥姆斯咨詢報道,三菱電機(MitsubishiElectric)宣布與美國國家先進工業(yè)科學與技術研究所(AIS...

日期 2019-09-06   

盤點金剛石襯底GaN基微波功率器件研究進程

盤點金剛石襯底GaN基微波功率器件研究進程
盤點金剛石襯底GaN基微波功率器件研究進程
盤點金剛石襯底GaN基微波功率器件研究進程

2006年,美國Cree公司的Wu等人研制的GaN基高電子遷移率晶體管(HEMT),4GHz時的輸出功率密度達到41.4W/mm。近十多年來,氮化鎵(GaN)的研究熱潮...

日期 2019-08-29   

日本防務省資助富士通公司研究金剛石和碳化硅襯底散熱技術,將顯著提高GaN HEMT性能

日本防務省資助富士通公司研究金剛石和碳化硅襯底散熱技術,將顯著提高GaN HEMT性能
日本防務省資助富士通公司研究金剛石和碳化硅襯底散熱技術,將顯著提高GaN HEMT性能
日本防務省資助富士通公司研究金剛石和碳化硅襯底散熱技術,將顯著提高GaN HEMT性能

12月6日至9日美國加利福尼亞州的IEEE半導體接口專家會議(SISC2017)上,日本富士通公司及其子公司富士通實驗室公司(FujitsuLaboratoriesLt...

日期 2017-12-22   
一種金剛石熱沉襯底GaNHEMTs制備方法

一種金剛石熱沉襯底GaNHEMTs制備方法

申請?zhí)枺?01611084413.8申請人:陜西科技大學發(fā)明人:王進軍摘要:本發(fā)明公開了一種金剛石熱沉襯底GaN...

日期 2017-03-29   
新發(fā)現(xiàn)—GaN硬度超鉆石

新發(fā)現(xiàn)—GaN硬度超鉆石

目前,氮化鎵(GaN)已成為最重要、最廣泛應用的半導體材料之一。其光電性能和機械性能使其成為多種應用的理想選擇,...

日期 2016-11-11   
一種金剛石熱沉GaN基LED制作方法

一種金剛石熱沉GaN基LED制作方法

申請?zhí)枺?01610172206.1申請人:陜西科技大學發(fā)明人:王進軍摘要:本發(fā)明提供一種金剛石熱沉GaN基LE...

日期 2016-08-24   
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2023年9月20日,時隔四年,期待已久的第六屆磨料磨具磨削展覽會在鄭州國際會展中心隆重開幕。本次展覽會由中國機械工業(yè)集團有限公司、國機精工股份有限公司、中國機械國際合作股份有限公司聯(lián)合主辦。旨在推動中國磨料磨具行業(yè)的快速發(fā)展,加強國內外企業(yè)的交流與合作。