氮化鎵（GaN）晶體管在工作過程中產(chǎn)生的熱量和由此引起的溫升會(huì)導(dǎo)致性能下降并縮短器件的壽命，因此亟需開發(fā)有效的散熱方法。金剛石具有極高的導(dǎo)熱率，有望作為半導(dǎo)體元件的散熱材料得到實(shí)際應(yīng)用。然而，由于元件和金剛石難以結(jié)合等問題，其散熱性能尚未達(dá)到預(yù)期水平，這種材料尚未大量投入實(shí)用。
       近日，日本大阪公立大學(xué)（OMU）和東北大學(xué)（Tohoku University）金屬材料研究所聯(lián)合宣布，他們使用在所有材料中熱導(dǎo)率最高的金剛石作為基板，成功在金剛石上制造出了氮化鎵晶體管，與在碳化硅（SiC）基板上制造的相同形狀的晶體管相比，散熱性能提高了 2.3 倍。

圖1：在金剛石襯底上制造氮化鎵晶體管

       在這項(xiàng)研究中，研究團(tuán)隊(duì)首先在硅襯底上制作了一個(gè) 3 μm 厚的氮化鎵層和一個(gè) 1 μm 厚的 3C-SiC 緩沖層（3C-SiC，立方晶系中的一種），然后從硅襯底上剝離這兩層，接著用 "表面活性鍵合法 "將其鍵合在金剛石襯底上，最后得到一個(gè)尺寸約為 1 英寸（2.5 cm ）的氮化鎵晶體管。研究小組稱，由于使用了高質(zhì)量的碳化硅薄膜，因此即使在 1100°C 的高溫下進(jìn)行熱處理，也不會(huì)在結(jié)界面上出現(xiàn)薄膜分層現(xiàn)象，從而獲得高質(zhì)量的異質(zhì)結(jié)界面。

圖2：(a) AlGaN/GaN/3C-SiC 層/金剛石結(jié)樣品。(b) 在金剛石上制造的 GaN 晶體管的光學(xué)顯微鏡圖像。(c) 3C-SiC/金剛石結(jié)界面的橫截面透射電子顯微鏡圖像。(d) 本研究中在金剛石襯底上制作的氮化鎵晶體管與先前研究中在金剛石上制作的氮化鎵晶體管的增強(qiáng)散熱性能比較（資料來源：聯(lián)合新聞稿）

       接下來，研究團(tuán)隊(duì)用在碳化硅襯底上制造的相同形狀的晶體管進(jìn)行了比較，以驗(yàn)證用相同方法在金剛石襯底上制造的氮化鎵晶體管的散熱情況。結(jié)果證實(shí)，在金剛石襯底上的晶體管的散熱能力比在碳化硅襯底上的晶體管提高大約 2.3 倍。此外，他們實(shí)驗(yàn)得到的金剛石襯底上的晶體管比之前其他研究中在金剛石襯底上制作的晶體管實(shí)現(xiàn)了更好的散熱效果，晶體管的特性也得到了顯著改善。

圖3：硅、碳化硅和金剛石晶體管的散熱性能比較（在相同的功率下，溫升越小，散熱性能越好）。

       這項(xiàng)研究大大改善了氮化鎵功率器件的散熱和最大功率輸出。這將有利于縮小系統(tǒng)規(guī)模，簡化冷卻機(jī)制，大幅減少能源消耗。

       研究團(tuán)隊(duì)表示，未來利用金剛石襯底實(shí)現(xiàn)大面積氮化鎵晶體管，有望擴(kuò)大高功率半導(dǎo)體元件在 5G 通信基站、氣象雷達(dá)和衛(wèi)星通信等領(lǐng)域的應(yīng)用范圍。

       信息來源：大阪公立大學(xué)&東北大學(xué)

       參考原文：

       https://www.tohoku.ac.jp/japanese/newimg/pressimg/tohokuuniv-press20231201_03web_gan.pdf