
最近,四名理海大學(xué)的工程師報(bào)道了一個(gè)GaN前所未知的屬性:其耐磨性接近鉆石,而且為觸摸屏、空間飛行器和射頻微機(jī)電系統(tǒng)(RF MEMS)這些需要高速、高振動(dòng)技術(shù)的應(yīng)用開辟了新市場(chǎng)。
八月份,該研究團(tuán)隊(duì)將他們的發(fā)現(xiàn)發(fā)表在了Applied Physics Letters(APL)上,題目為“Ultralow wear of gallium nitride”。文章的作者是機(jī)械工程博士生曾國(guó)松,Nelson Tansu, Daniel E.’39,光子學(xué)與電子學(xué)的中心主任(CPN)、電氣與計(jì)算機(jī)工程系的客座教授Patricia M. Smith,機(jī)械工程與力學(xué)系助理教授Brandon A. Krick,以及克拉克森大學(xué)電子與計(jì)算機(jī)工程系的助理教授Chee-Keong Tan’16博士。
該文章的第一作者Zeng表示:“GaN的電子和光學(xué)性質(zhì)近幾十年來已被廣泛研究,但實(shí)際上在其摩擦學(xué)性能,即其所施加的往復(fù)滑動(dòng)的機(jī)械耐磨性方面幾乎沒有研究。我們小組是第一次研究GaN的耐磨性能,并發(fā)現(xiàn)其磨損率接近已知的最硬的材料鉆石。”
磨損率表示為mm3/Nm。實(shí)際上粉筆的磨損率大約102 mm3/Nm,幾乎沒有耐磨性,而鉆石的磨損率在10-9與10-10之間,比粉筆的磨損率高出八個(gè)數(shù)量級(jí)。GaN的磨損率在10-7-10-9之間,比鉆石高三到五個(gè)數(shù)量級(jí),比硅(10-4)的耐磨性更高。
理海大學(xué)的研究人員使用定制的微型摩擦針進(jìn)行干滑動(dòng)磨損試驗(yàn),測(cè)量了GaN的摩擦系數(shù)和磨損率,而結(jié)果使他們感到驚訝。他們?cè)谡撐闹袑懙?,?dāng)對(duì)未知材料進(jìn)行磨損測(cè)量時(shí),我們通?;瑒?dòng)1000個(gè)周期,然后測(cè)量磨痕。為了達(dá)到能被光學(xué)表面光度儀測(cè)量,實(shí)驗(yàn)已經(jīng)被提高到30,000個(gè)周期。 在磨損率(約兩個(gè)數(shù)量級(jí))的大范圍內(nèi),可以深入了解GaN的磨損機(jī)制。而磨損率的范圍,是由幾個(gè)因素影響的,包括環(huán)境因素和晶體方向,尤其是濕度的影響。
“我們第一次觀察到GaN的超低磨損率是在冬天,而在夏天,材料的磨損率增加了兩個(gè)數(shù)量級(jí),結(jié)果不能重復(fù)。”Zeng說。為了研究夏季的高濕度是如何影響GaN的磨損性能的,研究人員把他們的摩擦計(jì)放在一個(gè)可以用氮?dú)饣虺睗窨諝饣靥畹氖痔紫渲小?ldquo;我們觀察到,當(dāng)我們?cè)黾邮痔紫鋬?nèi)的濕度, GaN的磨損率也隨之增加。”Zeng說。
十月份,在佛羅里達(dá)州的奧蘭多氮化物半導(dǎo)體國(guó)際研討會(huì)上,Zeng做了一個(gè)關(guān)于理海項(xiàng)目的演講(IWN 2016),題目為“Wear of Nitride Materials and Properties of GaN-based structures”。Zeng是會(huì)上七個(gè)陳述者之一而且是唯一一個(gè)討論GaN等第III族氮化物材料的磨損性能的。
研究GaN十多年的Tansu和摩擦學(xué)專家Krick,當(dāng)他們幾年前在理海教師會(huì)議討論他們的研究項(xiàng)目時(shí)就已經(jīng)對(duì)GaN的磨損性能充滿了好奇。“Nelson 曾經(jīng)問我是否已經(jīng)有人研究了GaN的摩擦和磨損性能,” Krick說,“我說我不知道。后來我們調(diào)查了一下并發(fā)現(xiàn)了一個(gè)廣闊的領(lǐng)域。”
Tansu說:“我們研究小組發(fā)現(xiàn)GaN的硬度和耐磨性能都會(huì)對(duì)電子和數(shù)碼產(chǎn)品行業(yè)產(chǎn)生巨大的影響。在一個(gè)設(shè)備如智能手機(jī),電子元件被安置在玻璃或藍(lán)寶石的保護(hù)涂層下,這就提出了兼容性的問題,而使用GaN可以避免潛在的兼容性問題。 GaN的耐磨性給我們提供了一種方法,運(yùn)用具有優(yōu)良的光學(xué)、電學(xué)性能和耐磨性的單層材料可以替代一個(gè)典型的多層半導(dǎo)體器件。使用GaN,您可以在沒有多層技術(shù)的平臺(tái)上建立一個(gè)完整的設(shè)備,以及可以集成電子、光傳感器和光發(fā)射器,這將為設(shè)計(jì)設(shè)備提供一個(gè)新的范例。又因?yàn)镚aN可以做得很薄且高強(qiáng)度,這也將加速柔性電子產(chǎn)品的開發(fā)。”
“GaN除了令人意外的良好耐磨性能外,也有良好的耐輻射性,這是太陽(yáng)能電池驅(qū)動(dòng)空間飛行器的一個(gè)重要屬性。在外太空中,這些太陽(yáng)能電池將遇到大量的連同X射線和γ射線的宇宙塵埃,因此需要一個(gè)耐磨涂層,同時(shí)又需要與電池的電子電路兼容。在不考慮與電路的兼容性問題情況下,GaN可以提供必要的硬度。” Zeng說。
為了更好的理解GaN和水接觸時(shí)的相互作用,理海團(tuán)隊(duì)已開始與普林斯頓大學(xué)化學(xué)與生物工程教授,表面化學(xué)專家Bruce E. Koel合作。Koel原是理海大學(xué)畢業(yè),并且是化學(xué)教授兼副校長(zhǎng)。
為了確定GaN的磨損演變,該研究團(tuán)隊(duì)通過改變滑動(dòng)測(cè)試時(shí)的滑動(dòng)距離和相應(yīng)的周期數(shù)來給GaN施加壓力。摩擦機(jī)在樣品表面產(chǎn)生劃痕,而磨損顆粒在劃痕兩側(cè)沉積。然后利用X射線光電子能譜(XPS)掃描未磨損的GaN表面,識(shí)別該表面的元素組成。
該小組計(jì)劃下一步使用像差校正透射電子顯微鏡檢查劃痕下的原子晶格。同時(shí),他們將模擬晶格應(yīng)變與水的測(cè)試,用以觀察變形能量所造成的晶格變化。
Zeng 說:“這是一個(gè)非常新穎的實(shí)驗(yàn),當(dāng)你施加剪切力、拉伸力或壓縮力到GaN的表面上時(shí),通過看化學(xué)反應(yīng),我們就能夠看到動(dòng)態(tài)的表面化學(xué)結(jié)果。”