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單晶金剛石異質(zhì)外延生長有限,該如何推動技術(shù)整合發(fā)展

單晶金剛石異質(zhì)外延生長有限,該如何推動技術(shù)整合發(fā)展

金剛石被廣泛提議用于未來的量子和電子技術(shù)。金剛石中的色心具有卓越的相干性和強大的自旋光子界面。這使得量子網(wǎng)絡(luò)演示...

日期 2024-10-17   

半導(dǎo)體所在大尺寸金剛石單晶異質(zhì)外延生長方面取得進展

半導(dǎo)體所在大尺寸金剛石單晶異質(zhì)外延生長方面取得進展
半導(dǎo)體所在大尺寸金剛石單晶異質(zhì)外延生長方面取得進展
半導(dǎo)體所在大尺寸金剛石單晶異質(zhì)外延生長方面取得進展

作為一種超寬帶隙半導(dǎo)體材料,金剛石具有禁帶寬度大、載流子遷移率高,載流子飽和漂移速度大、臨界擊穿場強大、熱導(dǎo)率高等優(yōu)點,非常適合用于制備高頻、大功率、耐高溫、抗輻照的電...

日期 2024-07-18   

哈爾濱工業(yè)大學(xué):Ir襯底上金剛石半導(dǎo)體異質(zhì)外延生長技術(shù)與機理研究進展

推薦語:瞄準(zhǔn)金剛石晶圓制備這一制約其應(yīng)用的技術(shù)難題,從形核與生長基本理論出發(fā),通過闡述金剛石形核裝置、工藝窗口、形核現(xiàn)象、織構(gòu)生長、位錯控制等關(guān)鍵技術(shù)細(xì)節(jié),對Ir襯底上...

日期 2023-02-02   
哈工大“一種同質(zhì)外延生長單晶金剛石的籽晶襯底真空釬焊方法”榮獲中國專利金獎

哈工大“一種同質(zhì)外延生長單晶金剛石的籽晶襯底真空釬焊方法”榮獲中國專利金獎

7月26日,第二十三屆中國專利獎評選結(jié)果揭曉,哈爾濱工業(yè)大學(xué)斬獲一金一銀(全國專利金獎30項、專利銀獎60項),...

日期 2022-08-08   

NCM綜述 | 哈爾濱工業(yè)大學(xué)朱嘉琦教授:單晶金剛石異質(zhì)外延生長過程中的位錯行為及其控制工藝研究進展

NCM綜述 | 哈爾濱工業(yè)大學(xué)朱嘉琦教授:單晶金剛石異質(zhì)外延生長過程中的位錯行為及其控制工藝研究進展
NCM綜述 | 哈爾濱工業(yè)大學(xué)朱嘉琦教授:單晶金剛石異質(zhì)外延生長過程中的位錯行為及其控制工藝研究進展
NCM綜述 | 哈爾濱工業(yè)大學(xué)朱嘉琦教授:單晶金剛石異質(zhì)外延生長過程中的位錯行為及其控制工藝研究進展

單晶金剛石憑借優(yōu)異的力、熱、光、電等性質(zhì),在探測器、功率器件、量子計算等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景,但大尺寸低缺陷高純度晶體的合成是制約其應(yīng)用的主要瓶頸。作為兩種最常用的C...

日期 2021-12-29   

高氣壓下雙基片結(jié)構(gòu)MPCVD側(cè)向外延生長單晶金剛石的研究

高氣壓下雙基片結(jié)構(gòu)MPCVD側(cè)向外延生長單晶金剛石的研究
高氣壓下雙基片結(jié)構(gòu)MPCVD側(cè)向外延生長單晶金剛石的研究
高氣壓下雙基片結(jié)構(gòu)MPCVD側(cè)向外延生長單晶金剛石的研究

單晶金剛石(SCD)具有優(yōu)異的物理化學(xué)性能,在制備時通常需要高功率微波等離子體源,可以通過提高功率或者增加壓力等方式來進行制備。然而,在高沉積壓力作用下,微波等離子球的...

日期 2021-09-09   
一種利用等離子體擋板優(yōu)化單晶金剛石同質(zhì)外延生長的方法

一種利用等離子體擋板優(yōu)化單晶金剛石同質(zhì)外延生長的方法

申請?zhí)枺?01510443127.5申請人:哈爾濱工業(yè)大學(xué)發(fā)明人:朱嘉琦舒國陽代兵陳亞男楊磊王強王楊劉康趙繼文孫...

日期 2015-11-06   

一種同質(zhì)外延生長單晶金剛石的籽晶襯底真空釬焊方法

申請?zhí)枺?01510459097.7申請人:哈爾濱工業(yè)大學(xué)發(fā)明人:朱嘉琦舒國陽代兵楊磊王強王楊陳亞男趙繼文劉康孫明琪韓杰才摘要:一種同質(zhì)外延生長單晶金剛石的籽晶襯底真空...

日期 2015-10-28   

一種同質(zhì)外延生長單晶金剛石時控制表面溫度的方法

申請?zhí)枺?01510199722.9申請人:哈爾濱工業(yè)大學(xué)發(fā)明人:舒國陽代兵朱嘉琦王楊楊磊韓杰才&

日期 2015-07-30   

一種異質(zhì)外延生長大尺寸單晶金剛石的襯底及其制備方法

申請?zhí)枺?01410794743.0申請人:哈爾濱工業(yè)大學(xué)發(fā)明人:王楊代兵朱嘉琦舒國陽摘要:本發(fā)明公開

日期 2015-04-24   
石墨烯超低溫可控外延生長研究取得進展

石墨烯超低溫可控外延生長研究取得進展

近日,微尺度物質(zhì)科學(xué)國家實驗室張振宇教授理論研究組與國內(nèi)外相關(guān)課題組合作,在石墨烯超低溫可控外延生長研究方面取得...

日期 2013-06-06   

在藍(lán)寶石襯底上異質(zhì)外延生長碳化硅薄膜的方法

名稱在藍(lán)寶石襯底上異質(zhì)外延生長碳化硅薄膜的方法公開號1369904公開日2002.09.18主分類號H01L21/3

日期 2010-12-24   

減少碳化硅外延生長中微管缺陷形成的方法和所得到的碳化硅結(jié)構(gòu)

名稱減少碳化硅外延生長中微管缺陷形成的方法和所得到的碳化硅結(jié)構(gòu)公開號1167511公開日1997.12.10主分類號

日期 2010-12-23   
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2023年9月20日,時隔四年,期待已久的第六屆磨料磨具磨削展覽會在鄭州國際會展中心隆重開幕。本次展覽會由中國機械工業(yè)集團有限公司、國機精工股份有限公司、中國機械國際合作股份有限公司聯(lián)合主辦。旨在推動中國磨料磨具行業(yè)的快速發(fā)展,加強國內(nèi)外企業(yè)的交流與合作。