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多弧離子鍍TiN/Cu多層復(fù)合納米膜研究

關(guān)鍵詞 多層復(fù)合納米膜|2009-04-27 00:00:00|技術(shù)信息|來源 中國超硬材料網(wǎng)
摘要 提高零件耐磨性的硬質(zhì)膜層是保護(hù)性涂層的一個(gè)重要分支,在刀具、模具等行業(yè)有很廣泛的應(yīng)用。硬質(zhì)膜通常被分為兩類:①硬膜,硬度小于40GPa;②超硬膜,硬度大于40GPa。膜的硬度可分為...

  提高零件耐磨性的硬質(zhì)膜層是保護(hù)性涂層的一個(gè)重要分支,在刀具、模具等行業(yè)有很廣泛的應(yīng)用。硬質(zhì)膜通常被分為兩類:①硬膜,硬度小于40GPa;② 超硬膜,硬度大于40GPa。膜的硬度可分為本征硬度和非本征硬度。具有本征硬度的超硬膜主要有金剛石立方氮化硼(c-BN)、碳化硼(B4C)、非晶態(tài)類金剛石、非晶態(tài)氮化碳(a-CNx)和一些三元化合物B-C-N等。然而這些本征超硬材料由于種種缺點(diǎn),穩(wěn)定性較差,無法廣泛應(yīng)用于刀具、模具等行業(yè)。
  近年來,為了獲得非本征硬度超硬膜,將納米技術(shù)引入超硬膜的制備已成為人們關(guān)注的焦點(diǎn)。但是,迄今為止,許多研究仍致力于納米復(fù)合膜的制備方法和致硬機(jī)理等問題的探討,許多問題尚未獲得一致性的結(jié)論,高效、便捷的制備方法也處于探索之中,遠(yuǎn)未達(dá)到成熟和實(shí)用水平。尤其在國內(nèi)僅有少數(shù)單位進(jìn)行這方法的研究,與國外的研究水平存在相當(dāng)大的差距。因此,繼續(xù)深入開展對納米復(fù)合膜的研究仍然是當(dāng)前的重要研究課題。本文利用多弧離子鍍的方法,研究納米復(fù)合膜的制備工藝以及工藝參數(shù)和膜性能的關(guān)系,以探索一種高效、便捷的納米復(fù)合膜制備工藝方法,為納米復(fù)合膜的實(shí)用化創(chuàng)造確實(shí)可行的條件。
  1.實(shí)驗(yàn)條件及方法
  實(shí)驗(yàn)樣品基體材料為W18Cr4V,尺寸為(p15mm×4mm),經(jīng)過淬火、回火的試樣用砂紙磨光,再拋光至表面呈光滑鏡面,清洗鐵機(jī)干凈后備用。
  實(shí)驗(yàn)采用PH-700A型多弧離子鍍膜機(jī)(鈦、銅靶材各l套)。實(shí)驗(yàn)時(shí)將兩靶位置固定,銅靶在左上方,鈦靶在左下方,試樣卡在自制試樣架上,使其與兩靶的距離相等。鍍膜實(shí)驗(yàn)所采用的實(shí)驗(yàn)參數(shù)及具體取值范圍為:沉積時(shí)間:30~150min;沉積溫度:200~350℃;試樣距靶距離:150~250mm;負(fù)偏壓:100~400V;氮分壓:0.025~0.2Pa;Cu靶工作電流:30A;Ti靶工作電流:35A;Cu靶開啟時(shí)間:每5min開5~60s;Ti靶一直處于開啟狀態(tài)。
  用FW-700型顯微硬度計(jì)測試(Ti,Cu)N膜的硬度;用.ISM-6500177型場發(fā)射掃描電子顯微鏡觀察膜層橫截面形貌;用能譜分析儀分析膜層的化學(xué)成份;用D8型X射線衍射儀分析膜層的結(jié)構(gòu),用Newview5032型表面粗糙度儀測試膜的厚度。
  2.實(shí)驗(yàn)結(jié)果及分析
  2.1Ti-Cu-N多元復(fù)合膜橫截面的形貌特征
  對沉積時(shí)間為50~60min,距靶距離為200mm左右,負(fù)偏壓為300~350V,Cu靶的開放時(shí)間為間隔5min開5~10s,N2分壓為0.1Pa左右的實(shí)驗(yàn)條件下所獲得的樣品斷口分析結(jié)果如圖1所示。

斷口


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多弧離子鍍TiN/Cu多層復(fù)合納米膜研究

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  提高零件耐磨性的硬質(zhì)膜層是保護(hù)性涂層的一個(gè)重要分支,在刀具、模具等行業(yè)有很廣泛的應(yīng)用。硬質(zhì)膜通常被分為兩類:①硬膜,硬度小于40GPa;② 超硬膜,硬度大于40GPa。膜的硬度可分為本征硬度和非本征硬度。具有本征硬度的超硬膜主要有金剛石、立方氮化硼(c-BN)、碳化硼(B4C)、非晶態(tài)類金剛石、非晶態(tài)氮化碳(a-CNx)和一些三元化合物B-C-N等。然而這些本征超硬材料由于種種缺點(diǎn),穩(wěn)定性較差,無法廣泛應(yīng)用于刀具、模具等行業(yè)。
  近年來,為了獲得非本征硬度超硬膜,將納米技術(shù)引入超硬膜的制備已成為人們關(guān)注的焦點(diǎn)。但是,迄今為止,許多研究仍致力于納米復(fù)合膜的制備方法和致硬機(jī)理等問題的探討,許多問題尚未獲得一致性的結(jié)論,高效、便捷的制備方法也處于探索之中,遠(yuǎn)未達(dá)到成熟和實(shí)用水平。尤其在國內(nèi)僅有少數(shù)單位進(jìn)行這方法的研究,與國外的研究水平存在相當(dāng)大的差距。因此,繼續(xù)深入開展對納米復(fù)合膜的研究仍然是當(dāng)前的重要研究課題。本文利用多弧離子鍍的方法,研究納米復(fù)合膜的制備工藝以及工藝參數(shù)和膜性能的關(guān)系,以探索一種高效、便捷的納米復(fù)合膜制備工藝方法,為納米復(fù)合膜的實(shí)用化創(chuàng)造確實(shí)可行的條件。
  1.實(shí)驗(yàn)條件及方法
  實(shí)驗(yàn)樣品基體材料為W18Cr4V,尺寸為(p15mm×4mm),經(jīng)過淬火、回火的試樣用砂紙磨光,再拋光至表面呈光滑鏡面,清洗鐵機(jī)干凈后備用。
  實(shí)驗(yàn)采用PH-700A型多弧離子鍍膜機(jī)(鈦、銅靶材各l套)。實(shí)驗(yàn)時(shí)將兩靶位置固定,銅靶在左上方,鈦靶在左下方,試樣卡在自制試樣架上,使其與兩靶的距離相等。鍍膜實(shí)驗(yàn)所采用的實(shí)驗(yàn)參數(shù)及具體取值范圍為:沉積時(shí)間:30~150min;沉積溫度:200~350℃;試樣距靶距離:150~250mm;負(fù)偏壓:100~400V;氮分壓:0.025~0.2Pa;Cu靶工作電流:30A;Ti靶工作電流:35A;Cu靶開啟時(shí)間:每5min開5~60s;Ti靶一直處于開啟狀態(tài)。
  用FW-700型顯微硬度計(jì)測試(Ti,Cu)N膜的硬度;用.ISM-6500177型場發(fā)射掃描電子顯微鏡觀察膜層橫截面形貌;用能譜分析儀分析膜層的化學(xué)成份;用D8型X射線衍射儀分析膜層的結(jié)構(gòu),用Newview5032型表面粗糙度儀測試膜的厚度。
  2.實(shí)驗(yàn)結(jié)果及分析
  2.1Ti-Cu-N多元復(fù)合膜橫截面的形貌特征
  對沉積時(shí)間為50~60min,距靶距離為200mm左右,負(fù)偏壓為300~350V,Cu靶的開放時(shí)間為間隔5min開5~10s,N2分壓為0.1Pa左右的實(shí)驗(yàn)條件下所獲得的樣品斷口分析結(jié)果如圖1所示。
  

  
  斷口
  

  斷口照片不僅呈現(xiàn)出明顯的晶粒特征,而且可以清楚地看到Ti-Cu-N多元復(fù)合膜中的納米晶多層結(jié)構(gòu)。鍍膜時(shí),在N2氣氛下持續(xù)開Ti靶,間斷的開放Cu靶,當(dāng)Cu靶開放時(shí),由于Cu不與N2反應(yīng),可能在TiN表面形成了Cu和TiN的混合物,阻斷了純TiN膜的生長;當(dāng)Cu靶關(guān)閉時(shí),純 TiN膜又重新開始生長,Cu靶的間斷開放形成了膜的多層結(jié)構(gòu)。通過標(biāo)尺可知其中每一層的厚度約為40~50nm,由此可以推斷在每一層中的晶粒大小不會(huì)超過50nm。
  2.2Ti-Cu-N多元復(fù)合膜X射線衍射分析
  復(fù)合膜的結(jié)構(gòu)主要為TiN,并有微量的Ti、Cu晶體,有少量的a-Fe,這可能是由于膜厚度過薄造成的;Cu晶體的含量更少,這是因?yàn)?Cu靶的開放時(shí)間很短,Cu不與N2發(fā)生反應(yīng),而是在TiN表面形成了Cu晶體和TiN的混合物,阻斷了TiN膜的生長。Ti的存在可能是為了提高膜與基體的結(jié)合力,開始鍍膜時(shí)在基體表面沉積了一定量的Ti,形成純Ti晶體。再就是從弧靶上飛出的液滴存在于膜層中,保留了純Ti的結(jié)晶。
  2.3負(fù)偏壓對膜的硬度的影響
  負(fù)偏壓在一定范圍變化時(shí),膜的硬度隨負(fù)偏壓的變化先增加后減小。這種變化關(guān)系是與負(fù)偏壓對膜厚度的影響密切相關(guān)的。首先隨著厚度的增大,硬度也逐漸提高,這是由于膜的厚度越大,基體材料對硬度的影響越小。此外,負(fù)偏壓的提高增強(qiáng)了轟擊效果,導(dǎo)致薄膜的晶粒細(xì)化、致度提高等,從而硬度增大。但當(dāng)偏壓過高時(shí),如達(dá)到-400V時(shí),由于離子強(qiáng)烈的轟擊,濺射作用明顯,膜生長速率下降,膜厚變小,以致在測試硬度時(shí)受到基體的影響較大,使硬度值下降。
  2.4氮分壓對膜硬度的影響
  由于鍍膜時(shí)樣品室中只有N2,所以氮分壓就是氮?dú)鈮毫?,不必考慮其他氣體的分壓。從圖4中可以看出,N2分壓在一定范圍內(nèi)變化時(shí),Ti-Cu-N多元復(fù)合膜硬度隨N2分壓的變化先增大后減小。氮?dú)鈮毫Φ拇笮?shí)際上影響到Ti 與N2的反應(yīng)程度。氣壓過低,反應(yīng)不完全,故而TiN的量較少,硬度較低;當(dāng)增加到一定值時(shí)(如0.1Pa),反應(yīng)較完全充分,TiN的含量相對較高,硬度最大;氣壓過大,膜層中氮含量的增多使其硬度明顯下降。所以要得到較高的顯微硬度選擇合適的氮?dú)鈮毫κ欠浅V匾摹?br />   2.5Cu靶開啟時(shí)間對復(fù)合膜硬度的影響
  當(dāng)Ti靶一直處于開啟狀態(tài),Cu靶每間隔5min開啟一次,Cu靶開啟時(shí)間在一定范圍內(nèi)變化時(shí),Ti-Cu-N多元復(fù)合膜硬度隨Cu含量的減小而逐漸增大。這是由于薄膜的生長過程大致上可分為形核和生長兩個(gè)階段。基底表面吸附外來原子后,鄰近原子的距離減小,他們在基底表面進(jìn)行擴(kuò)散,并且相互作用,使吸附原子有序化,形成亞穩(wěn)的臨界核,然后長大成島和謎津結(jié)構(gòu)。島的擴(kuò)散結(jié)合形成連續(xù)膜,在島的結(jié)合過程中將發(fā)生島的移動(dòng)及轉(zhuǎn)動(dòng),以調(diào)整島之間的結(jié)晶方向,進(jìn)一步形成相互連接在一起的晶粒。由于晶粒與晶粒之間相互阻礙,各個(gè)晶粒不能橫向生長,只能向膜的前沿方向生長。如果工藝條件不變,各個(gè)晶粒將一直向前生長,形成柱狀晶。而在本文的鍍膜過程中,在N2氣氛下持續(xù)開Ti靶,間斷的開放Cu靶,當(dāng)Cu靶開啟時(shí),由于Cu不與N2反應(yīng),Cu沉積到 TiN表面,切斷了純TiN膜的生長:當(dāng)Cu靶關(guān)閉時(shí),純TiN膜又重新開始生核長大,Cu靶的間斷開放會(huì)使Ti-Cu-N多元復(fù)合膜中形成納米晶多層結(jié)構(gòu)。Cu的硬度較低,而TiN的硬度較高。故而多元復(fù)合膜中Cu的含量越少,即Cu靶開放時(shí)間越短,Ti-Cu-N多元復(fù)合膜硬度越高。
  3.結(jié)論
  1.采用多弧離子鍍的方法,能夠制備出晶粒≤50nm,硬度≥3200HV的Ti-Cu-N多層納米復(fù)合膜。膜的晶粒和硬度可通過調(diào)整工藝加以擴(kuò)展。
  2.在其他參數(shù)相同的情況下,Ti-Cu-N多層納米復(fù)合膜厚度隨試樣與靶距離的增大而逐漸降低,隨負(fù)偏壓(-100~-300V)的增大而增大。
  3.在其他參數(shù)相同的情況下,隨Cu靶開啟時(shí)間和間隔的縮短,Ti-Cu-N多層納米復(fù)合膜的晶粒縮小、硬度增大。
  4.在其他參數(shù)相同的情況下,N2分壓在一定范圍內(nèi)變化時(shí),Ti-Cu-N多元復(fù)合膜硬度隨N2分壓的增大先增大后減小。氣壓過低,反應(yīng)不完全;氣壓過大,膜層中的氮增多。所以要得到較高的顯微硬度選擇合適的氮?dú)鈮毫κ欠浅V匾摹?br />


 

 

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