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官方微信摘要 名稱碳化硅半導(dǎo)體開關(guān)器件公開號1286805公開日2001.03.07主分類號H01L29/04
| 名稱 | 碳化硅半導(dǎo)體開關(guān)器件 | ||
| 公開號 | 1286805 | 公開日 | 2001.03.07 |
| 主分類號 | H01L29/04 | 分類號 | H01L29/04 |
| 申請?zhí)?/strong> | 98813915.4 | ||
| 分案原申請?zhí)?/strong> | 申請日 | 1998.03.19 | |
| 頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | ||
| 申請人 | 株式會社日立制作所 | 地址 | 日本東京都 |
| 發(fā)明人 | 大野俊之;巖崎貴之;八尾勉 | 國際申請 | PCT.JP98/01185 1998.3.19 |
| 國際公布 | WO99.48153 日 1999.9.23 | 進(jìn)入國家日期 | 2000.09.18 |
| 專利代理機(jī)構(gòu) | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吳增勇;葉愷東 |
| 摘要 | 本半導(dǎo)體開關(guān)器件包括具有第一導(dǎo)電類型的六角形對稱碳化硅單晶和具有與第一導(dǎo)電類型相反的第二導(dǎo)電類型并位于碳化硅單晶內(nèi)的半導(dǎo)體區(qū)域。在第一導(dǎo)電類型的碳化硅單晶和第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體區(qū)域之間形成pn結(jié)。pn結(jié)果面包括從碳化硅單晶表面開始沿著深度方向延伸的界面，而延伸的界面包括與碳化硅單晶（１１２０）取向平行或大致與之平行的晶面。因此減小漏電流。 | ||
豫公網(wǎng)安備41019702003646號