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官方微信摘要 名稱通過(guò)注入摻雜制成的碳化硅半導(dǎo)體的熱修復(fù)法公開號(hào)1272957公開日2000.11.08主分類號(hào)H01L21/26
| 名稱 | 通過(guò)注入摻雜制成的碳化硅半導(dǎo)體的熱修復(fù)法 | ||
| 公開號(hào) | 1272957 | 公開日 | 2000.11.08 |
| 主分類號(hào) | H01L21/265 | 分類號(hào) | H01L21/265;H01L21/324;C30B35/00 |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 98809723.0 | ||
| 分案原申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 申請(qǐng)日 | 1998.09.14 | |
| 頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | [32]1997.9.30[33]DE[31]19743127.5 | |
| 申請(qǐng)人 | 因芬尼昂技術(shù)股份公司 | 地址 | 德國(guó)慕尼黑 |
| 發(fā)明人 | K·赫爾茲萊恩; R·魯普; A·維登霍菲 | 國(guó)際申請(qǐng) | PCT.DE98/02722 1998.9.14 |
| 國(guó)際公布 | WO99.17345 德 1999.4.8 | 進(jìn)入國(guó)家日期 | 2000.03.30 |
| 專利代理機(jī)構(gòu) | 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 張志醒 |
| 摘要 | 至少將一個(gè)經(jīng)過(guò)注入摻雜的碳化硅半導(dǎo)體在氣流中進(jìn)行熱修復(fù)的方法，其特征在于：將該至少一個(gè)磁化硅半導(dǎo)體（１０i）置入幾乎不含碳的氣流（１２）中。并且將該至少一個(gè)碳化硅半導(dǎo)體（１０i）用一個(gè)托盤（１６）放在容器（１３）中；放置碳化硅半導(dǎo)體（１０i ）用的托盤（１６）和容器（１３）至少與氣流（１２）發(fā)生接觸的部分至少是用一種金屬或者至少是用一種金屬化合物制成的。 | ||
豫公網(wǎng)安備41019702003646號(hào)