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金剛石高電子遷移率晶體管引入新方法

金剛石高電子遷移率晶體管引入新方法

許多軍用RF系統(tǒng),如雷達和通信系統(tǒng),正使用一種單片微波集成電路(MIMIC,MMIC)類型的功率放大器。MMIC...

日期 2013-05-10   

日本用鉆石制成雙極晶體管

眾所周知,金剛石是自然界中最堅硬的物質(zhì),同時還具有耐磨、熱敏、傳熱導(dǎo)、半導(dǎo)體及透遠(yuǎn)等優(yōu)異的性能。目前人類對金剛石的應(yīng)用,主要還是集中在硬度高這一物理特性方面。最近,日本...

日期 2013-04-22   

日本開發(fā)出溝道層使用的新型石墨烯晶體管

日本東北大學(xué)宣布,其研究人員開發(fā)出了溝道層使用新型碳材料——石墨烯晶體管,導(dǎo)通/截止比達到104以上。石墨烯一般沒有帶隙,因此即使制成晶體管也無...

日期 2012-09-20   

科學(xué)家研發(fā)石墨烯晶體管便捷制造方法

據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)近日報道,德國和瑞典的科學(xué)家發(fā)現(xiàn),在碳化硅晶體上使用一個類似簡單的平板印刷過程,就可以制造石墨烯晶體管,目前尚不知將模型按比例縮小后,其運行速度為多少,...

日期 2012-07-27   

韓制成可伸縮石墨烯晶體管

據(jù)美國物理學(xué)家組織網(wǎng)報道,韓國科研人員制造出了一種以可伸縮的透明石墨烯作為基底的新型晶體管。由于石墨烯具有出色的光學(xué)、機械和電性質(zhì),新型晶體管克服了由傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料制成...

日期 2011-11-02   
日本用鉆石制成雙極晶體管 可放大電流降低能耗

日本用鉆石制成雙極晶體管 可放大電流降低能耗

鉆石作為半導(dǎo)體材料具有最好的絕緣耐壓性能和最高的熱傳導(dǎo)率,但鉆石通常電阻非常大,限制了其應(yīng)用。日本研究人員在鉆石...

日期 2011-09-15   

IBM研發(fā)出新石墨烯晶體管

據(jù)美國物理學(xué)家組織網(wǎng)4月11日報道,IBM公司的科學(xué)家林育明(音譯)等人在4月8日出版的《自然》雜志撰文指出,他們研發(fā)出了新的石墨烯晶體管,其截止頻率為155GHz(吉...

日期 2011-07-19   

IBM研發(fā)出新石墨烯晶體管 具備商業(yè)化生產(chǎn)條件

據(jù)美國物理學(xué)家組織網(wǎng)4月11日報道,IBM公司的科學(xué)家林育明(音譯)等人在4月8日出版的《自然》雜志撰文指出,他們研發(fā)出了新的石墨烯晶體管,其截止頻率為155GHz(吉...

日期 2011-04-13   

碳化硅橫向場效應(yīng)晶體管和制造方法及其使用

名稱碳化硅橫向場效應(yīng)晶體管和制造方法及其使用公開號1339173公開日2002.03.06主分類號H01L21/335

日期 2010-12-24   

射頻功率碳化硅場效應(yīng)晶體管的互連方法和器件

名稱射頻功率碳化硅場效應(yīng)晶體管的互連方法和器件公開號1359535公開日2002.07.17主分類號H01L21/6

日期 2010-12-24   

高溫應(yīng)用碳化硅場效應(yīng)晶體管及其使用和制造方法

名稱高溫應(yīng)用碳化硅場效應(yīng)晶體管及其使用和制造方法公開號1347570公開日2002.05.01主分類號H01L29/

日期 2010-12-24   

半絕緣碳化硅基底上基于氮化物的晶體管

名稱半絕緣碳化硅基底上基于氮化物的晶體管公開號1309816公開日2001.08.22主分類號H01L29/778&

日期 2010-12-23   

用作電源開關(guān)的碳化硅N溝場效應(yīng)晶體管及其制造方法

名稱用作電源開關(guān)的碳化硅N溝場效應(yīng)晶體管及其制造方法公開號1297258公開日2001.05.30主分類號H01L2

日期 2010-12-23   

“金剛石場效應(yīng)晶體管”成果獲濟南市技術(shù)發(fā)明二等獎

濟南市委、市政府今天下發(fā)表彰決定,對2008年度科學(xué)技術(shù)獎、專利獎、名牌產(chǎn)品獎等八大類249項進行表彰獎勵(其中資金獎勵的239項),獎金達4534萬元。其中&ldqu...

日期 2009-03-02   
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