碳化硅橫向場(chǎng)效應(yīng)晶體管和制造方法及其使用
關(guān)鍵詞 碳化硅|2010-12-24 00:00:00|行業(yè)專利|來(lái)源 中國(guó)超硬材料網(wǎng)
摘要 名稱碳化硅橫向場(chǎng)效應(yīng)晶體管和制造方法及其使用公開號(hào)1339173公開日2002.03.06主分類號(hào)H01L21/335
名稱 |
碳化硅橫向場(chǎng)效應(yīng)晶體管和制造方法及其使用 |
公開號(hào) |
1339173 |
公開日 |
2002.03.06 |
主分類號(hào) |
H01L21/335 |
分類號(hào) |
H01L21/335;H01L29/772;H01L29/24 |
申請(qǐng)?zhí)?/strong> |
00803404.4 |
分案原申請(qǐng)?zhí)?/strong> |
|
申請(qǐng)日 |
2000.02.01 |
頒證日 |
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優(yōu)先權(quán) |
1999.2.3___SE_9900358-4 |
申請(qǐng)人 |
阿克里奧股份公司 |
地址 |
瑞典基斯塔 |
發(fā)明人 |
克里斯托弗·哈里;安德雷·康斯坦丁歐夫 |
國(guó)際申請(qǐng) |
PCT/SE00/00192 2000.2.1 |
國(guó)際公布 |
WO00/46850 英 2000.8.10 |
進(jìn)入國(guó)家日期 |
2001.08.02 |
專利代理機(jī)構(gòu) |
中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 |
代理人 |
王永剛 |
摘要 |
一種用于高開關(guān)頻率的碳化硅橫向場(chǎng)效應(yīng)晶體管,它包含橫向分隔開的重?fù)诫sn型源區(qū)層(5) 和漏區(qū)層(6)、橫向延伸并將源區(qū)層與漏區(qū)層互連以便在晶體管處于接通態(tài)時(shí)使電流在這些層之間傳導(dǎo)的 n型溝道層(4)、以及安排來(lái)通過(guò)改變施加到柵電極的電位而控制溝道層成為導(dǎo)電或截止的柵電極(9)。重?fù)诫sp型基極層(12)被排列在溝道層緊鄰,至少 部分覆蓋柵電極且橫向離漏區(qū)層一定距離。基極層被短路到源區(qū)層。 |
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