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碳化硅橫向場(chǎng)效應(yīng)晶體管和制造方法及其使用

關(guān)鍵詞 碳化硅|2010-12-24 00:00:00|行業(yè)專利|來(lái)源 中國(guó)超硬材料網(wǎng)
摘要 名稱碳化硅橫向場(chǎng)效應(yīng)晶體管和制造方法及其使用公開號(hào)1339173公開日2002.03.06主分類號(hào)H01L21/335
名稱 碳化硅橫向場(chǎng)效應(yīng)晶體管和制造方法及其使用 
公開號(hào) 1339173  公開日 2002.03.06   
主分類號(hào) H01L21/335  分類號(hào) H01L21/335;H01L29/772;H01L29/24 
申請(qǐng)?zhí)?/strong> 00803404.4   
分案原申請(qǐng)?zhí)?/strong>   申請(qǐng)日 2000.02.01   
頒證日   優(yōu)先權(quán) 1999.2.3___SE_9900358-4 
申請(qǐng)人 阿克里奧股份公司    地址 瑞典基斯塔  
發(fā)明人 克里斯托弗·哈里;安德雷·康斯坦丁歐夫    國(guó)際申請(qǐng) PCT/SE00/00192 2000.2.1 
國(guó)際公布 WO00/46850 英 2000.8.10  進(jìn)入國(guó)家日期 2001.08.02  
專利代理機(jī)構(gòu) 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所    代理人 王永剛   
摘要   一種用于高開關(guān)頻率的碳化硅橫向場(chǎng)效應(yīng)晶體管,它包含橫向分隔開的重?fù)诫sn型源區(qū)層(5) 和漏區(qū)層(6)、橫向延伸并將源區(qū)層與漏區(qū)層互連以便在晶體管處于接通態(tài)時(shí)使電流在這些層之間傳導(dǎo)的 n型溝道層(4)、以及安排來(lái)通過(guò)改變施加到柵電極的電位而控制溝道層成為導(dǎo)電或截止的柵電極(9)。重?fù)诫sp型基極層(12)被排列在溝道層緊鄰,至少 部分覆蓋柵電極且橫向離漏區(qū)層一定距離。基極層被短路到源區(qū)層。
 

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