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射頻功率碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管的互連方法和器件

關(guān)鍵詞 碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管|2010-12-24 00:00:00|行業(yè)專利|來(lái)源 中國(guó)超硬材料網(wǎng)
摘要 名稱射頻功率碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管的互連方法和器件公開(kāi)號(hào)1359535公開(kāi)日2002.07.17主分類號(hào)H01L21/6

 

名稱 射頻功率碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管的互連方法和器件 
公開(kāi)號(hào) 1359535  公開(kāi)日 2002.07.17   
主分類號(hào) H01L21/60  分類號(hào) H01L21/60;H01L23/49 
申請(qǐng)?zhí)?/strong> 99812144.4   
分案原申請(qǐng)?zhí)?/strong>   申請(qǐng)日 1999.09.23 
頒證日   優(yōu)先權(quán) 1998.10.13_SE_9803485-3 
申請(qǐng)人 艾利森電話股份有限公司    地址 瑞典斯德哥爾摩  
發(fā)明人 A·利特溫;T·約翰松    國(guó)際申請(qǐng) PCT/SE99/01670 1999.9.23 
國(guó)際公布 WO00/22666 英 2000.4.20  進(jìn)入國(guó)家日期 2001.04.13  
專利代理機(jī)構(gòu) 中國(guó)專利代理(香港)有限公司    代理人 王勇;李亞非   
摘要   本發(fā)明涉及到用來(lái)互連射頻功率SiC場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法和器件。為了改善寄生源電感,利用了晶體管的小尺寸,其中鍵合焊點(diǎn)被置于管芯的二個(gè)側(cè)面上,使大多數(shù)源鍵合引線(6)垂直于柵和漏鍵合引線(7,8)走線。多個(gè)鍵合引線可以被連接到源鍵合焊點(diǎn),降低了源電感。由于正交引線安排造成源/柵之間和源/漏之間互感降低,故這種安排還帶來(lái)額外的優(yōu)點(diǎn)?!?/td>
 

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