名稱 | 射頻功率碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管的互連方法和器件 | ||
公開(kāi)號(hào) | 1359535 | 公開(kāi)日 | 2002.07.17 |
主分類號(hào) | H01L21/60 | 分類號(hào) | H01L21/60;H01L23/49 |
申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 99812144.4 | ||
分案原申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 申請(qǐng)日 | 1999.09.23 | |
頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | 1998.10.13_SE_9803485-3 | |
申請(qǐng)人 | 艾利森電話股份有限公司 | 地址 | 瑞典斯德哥爾摩 |
發(fā)明人 | A·利特溫;T·約翰松 | 國(guó)際申請(qǐng) | PCT/SE99/01670 1999.9.23 |
國(guó)際公布 | WO00/22666 英 2000.4.20 | 進(jìn)入國(guó)家日期 | 2001.04.13 |
專利代理機(jī)構(gòu) | 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王勇;李亞非 |
摘要 | 本發(fā)明涉及到用來(lái)互連射頻功率SiC場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法和器件。為了改善寄生源電感,利用了晶體管的小尺寸,其中鍵合焊點(diǎn)被置于管芯的二個(gè)側(cè)面上,使大多數(shù)源鍵合引線(6)垂直于柵和漏鍵合引線(7,8)走線。多個(gè)鍵合引線可以被連接到源鍵合焊點(diǎn),降低了源電感。由于正交引線安排造成源/柵之間和源/漏之間互感降低,故這種安排還帶來(lái)額外的優(yōu)點(diǎn)?!?/td> |