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一種異質(zhì)外延生長大尺寸單晶金剛石的襯底及其制備方法

申請?zhí)枺?01410794743.0申請人：哈爾濱工業(yè)大學(xué)發(fā)明人：王楊代兵朱嘉琦舒國陽摘要：本發(fā)明公開

日期 2015-04-24   
石墨烯超低溫可控外延生長研究取得進(jìn)展

石墨烯超低溫可控外延生長研究取得進(jìn)展

近日，微尺度物質(zhì)科學(xué)國家實驗室張振宇教授理論研究組與國內(nèi)外相關(guān)課題組合作，在石墨烯超低溫可控外延生長研究方面取得...

日期 2013-06-06   

在沿<1100>方向切割的基片上生長的碳化硅外延層

名稱在沿方向切割的基片上生長的碳化硅外延層公開號1377311公開日2002.10.30主分類號

日期 2010-12-24   

在藍(lán)寶石襯底上異質(zhì)外延生長碳化硅薄膜的方法

名稱在藍(lán)寶石襯底上異質(zhì)外延生長碳化硅薄膜的方法公開號1369904公開日2002.09.18主分類號H01L21/3

日期 2010-12-24   

生長非常均勻的碳化硅外延層

名稱生長非常均勻的碳化硅外延層公開號1282386公開日2001.01.31主分類號C30B25/02

日期 2010-12-23   

減少碳化硅外延生長中微管缺陷形成的方法和所得到的碳化硅結(jié)構(gòu)

名稱減少碳化硅外延生長中微管缺陷形成的方法和所得到的碳化硅結(jié)構(gòu)公開號1167511公開日1997.12.10主分類號

日期 2010-12-23   

同位素純單晶外延金剛石薄膜及其制備方法

名稱同位素純單晶外延金剛石薄膜及其制備方法公開號1057869公開日1992.01.15主分類號C30B25/02&

日期 2010-12-09   
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