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官方微信摘要 名稱在沿方向切割的基片上生長(zhǎng)的碳化硅外延層公開號(hào)1377311公開日2002.10.30主分類號(hào)
| 名稱 | 在沿<1100>方向切割的基片上生長(zhǎng)的碳化硅外延層 | ||
| 公開號(hào) | 1377311 | 公開日 | 2002.10.30 |
| 主分類號(hào) | B32B7/00 | 分類號(hào) | B32B7/00;B32B9/00;B32B18/00;C03B25/02;C01B31/36 |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 00809431.4 | ||
| 分案原申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 申請(qǐng)日 | 2000.06.01 | |
| 頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | 1999.6.24__US_09/339,510 | |
| 申請(qǐng)人 | 高級(jí)技術(shù)材料公司 | 地址 | 美國(guó)康涅狄格州 |
| 發(fā)明人 | 巴巴拉·E·蘭迪尼;喬治·R·布蘭德斯;邁克爾·A·蒂? | 國(guó)際申請(qǐng) | PCT/US00/15155 2000.6.1 |
| 國(guó)際公布 | WO00/79570 英 2000.12.28 | 進(jìn)入國(guó)家日期 | 2001.12.24 |
| 專利代理機(jī)構(gòu) | 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人 | 王維玉;丁業(yè)平 |
| 摘要 | 一種碳化硅外延膜，其生長(zhǎng)在六方晶體形式的SiC晶體基片的切 ;基片晶向約6度到約10度的切割角。所得的碳化硅外延膜具有優(yōu)良的形態(tài)和材料性能。 | ||
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