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西安交大研究團(tuán)隊(duì)“2英寸單晶金剛石異質(zhì)外延自支撐襯底實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化”榮獲2024年度中國第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展

西安交大研究團(tuán)隊(duì)“2英寸單晶金剛石異質(zhì)外延自支撐襯底實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化”榮獲2024年度中國第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展
西安交大研究團(tuán)隊(duì)“2英寸單晶金剛石異質(zhì)外延自支撐襯底實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化”榮獲2024年度中國第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展
西安交大研究團(tuán)隊(duì)“2英寸單晶金剛石異質(zhì)外延自支撐襯底實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化”榮獲2024年度中國第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展

金剛石作為一種“終極半導(dǎo)體材料”,在力、熱、聲、光、電等方面都具有十分優(yōu)異的性能,如超寬禁帶、高載流子遷移率、超高熱導(dǎo)率、高擊穿電場(chǎng)等,在高溫、高效、超高頻、超大功率半...

日期 2024-12-02   
研究實(shí)現(xiàn)異質(zhì)外延單晶金剛石襯底的制備

研究實(shí)現(xiàn)異質(zhì)外延單晶金剛石襯底的制備

近日,西安交大王宏興教授團(tuán)隊(duì)采用微波等離子體化學(xué)氣相沉積(MPCVD)技術(shù),首次在Ir(111)/藍(lán)寶石表面實(shí)現(xiàn)...

日期 2024-11-26   

金剛石/GaN異質(zhì)外延技術(shù):突破與挑戰(zhàn)

金剛石/GaN異質(zhì)外延技術(shù):突破與挑戰(zhàn)
金剛石/GaN異質(zhì)外延技術(shù):突破與挑戰(zhàn)
金剛石/GaN異質(zhì)外延技術(shù):突破與挑戰(zhàn)

在半導(dǎo)體技術(shù)的前沿領(lǐng)域,金剛石/GaN異質(zhì)外延技術(shù)正受到廣泛關(guān)注。異質(zhì)外延技術(shù)通常需要在外延表面沉積緩沖層,包括金剛石異質(zhì)外延GaN技術(shù)和GaN底面異質(zhì)外延金剛石技術(shù)。...

日期 2024-10-25   
單晶金剛石異質(zhì)外延生長有限,該如何推動(dòng)技術(shù)整合發(fā)展

單晶金剛石異質(zhì)外延生長有限,該如何推動(dòng)技術(shù)整合發(fā)展

金剛石被廣泛提議用于未來的量子和電子技術(shù)。金剛石中的色心具有卓越的相干性和強(qiáng)大的自旋光子界面。這使得量子網(wǎng)絡(luò)演示...

日期 2024-10-17   

3.35英寸!寧波晶鉆同質(zhì)外延單晶金剛石再次突破

3.35英寸!寧波晶鉆同質(zhì)外延單晶金剛石再次突破
3.35英寸!寧波晶鉆同質(zhì)外延單晶金剛石再次突破
3.35英寸!寧波晶鉆同質(zhì)外延單晶金剛石再次突破

近日,在寧波晶鉆科技股份有限公司的金剛石產(chǎn)業(yè)園內(nèi),一顆顆CVD大單晶金剛石如期上線。其中,一顆60mm×60mm的單晶金剛石片映入眼簾。據(jù)了解,該金剛石片采用的是同質(zhì)外...

日期 2024-07-31   

半導(dǎo)體所在大尺寸金剛石單晶異質(zhì)外延生長方面取得進(jìn)展

半導(dǎo)體所在大尺寸金剛石單晶異質(zhì)外延生長方面取得進(jìn)展
半導(dǎo)體所在大尺寸金剛石單晶異質(zhì)外延生長方面取得進(jìn)展
半導(dǎo)體所在大尺寸金剛石單晶異質(zhì)外延生長方面取得進(jìn)展

作為一種超寬帶隙半導(dǎo)體材料,金剛石具有禁帶寬度大、載流子遷移率高,載流子飽和漂移速度大、臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)大、熱導(dǎo)率高等優(yōu)點(diǎn),非常適合用于制備高頻、大功率、耐高溫、抗輻照的電...

日期 2024-07-18   

西安交大成功實(shí)現(xiàn)2英寸異質(zhì)外延單晶金剛石襯底量產(chǎn)

西安交大成功實(shí)現(xiàn)2英寸異質(zhì)外延單晶金剛石襯底量產(chǎn)
西安交大成功實(shí)現(xiàn)2英寸異質(zhì)外延單晶金剛石襯底量產(chǎn)
西安交大成功實(shí)現(xiàn)2英寸異質(zhì)外延單晶金剛石襯底量產(chǎn)

近日,由西安交通大學(xué)王宏興教授領(lǐng)銜的創(chuàng)業(yè)團(tuán)隊(duì)在單晶金剛石襯底技術(shù)產(chǎn)業(yè)化上取得了重大進(jìn)展和突破。該團(tuán)隊(duì)采用一種基于微波等離子體化學(xué)氣相沉積(MPCVD)技術(shù)實(shí)現(xiàn)了2英寸異...

日期 2024-01-09   

異質(zhì)外延單晶金剛石及其相關(guān)電子器件的研究進(jìn)展

異質(zhì)外延單晶金剛石及其相關(guān)電子器件的研究進(jìn)展
異質(zhì)外延單晶金剛石及其相關(guān)電子器件的研究進(jìn)展
異質(zhì)外延單晶金剛石及其相關(guān)電子器件的研究進(jìn)展

1異質(zhì)外延單晶金剛石微波等離子體化學(xué)氣相沉積(MPCVD)是高質(zhì)量單晶金剛石制備的主流方法。根據(jù)襯底選擇可將其分為同質(zhì)外延和異質(zhì)外延兩種。同質(zhì)外延以單晶金剛石為襯底,通...

日期 2023-09-05   

哈爾濱工業(yè)大學(xué):Ir襯底上金剛石半導(dǎo)體異質(zhì)外延生長技術(shù)與機(jī)理研究進(jìn)展

推薦語:瞄準(zhǔn)金剛石晶圓制備這一制約其應(yīng)用的技術(shù)難題,從形核與生長基本理論出發(fā),通過闡述金剛石形核裝置、工藝窗口、形核現(xiàn)象、織構(gòu)生長、位錯(cuò)控制等關(guān)鍵技術(shù)細(xì)節(jié),對(duì)Ir襯底上...

日期 2023-02-02   
哈工大“一種同質(zhì)外延生長單晶金剛石的籽晶襯底真空釬焊方法”榮獲中國專利金獎(jiǎng)

哈工大“一種同質(zhì)外延生長單晶金剛石的籽晶襯底真空釬焊方法”榮獲中國專利金獎(jiǎng)

7月26日,第二十三屆中國專利獎(jiǎng)評(píng)選結(jié)果揭曉,哈爾濱工業(yè)大學(xué)斬獲一金一銀(全國專利金獎(jiǎng)30項(xiàng)、專利銀獎(jiǎng)60項(xiàng)),...

日期 2022-08-08   

日本先進(jìn)工業(yè)科學(xué)與技術(shù)研究院:拼接法單晶金剛石襯底上HFCVD硼摻雜外延層的水平和垂直方向均勻性研究

金剛石因優(yōu)異的物理、電子性能而在功率電子器件和量子技術(shù)領(lǐng)域里表現(xiàn)出誘人的應(yīng)用前景。想要實(shí)現(xiàn)這些應(yīng)用,需要表面平整、內(nèi)部沒有嚴(yán)重晶體缺陷的本體材料和缺陷數(shù)量可控的高質(zhì)量外...

日期 2022-06-07   

NCM綜述 | 哈爾濱工業(yè)大學(xué)朱嘉琦教授:單晶金剛石異質(zhì)外延生長過程中的位錯(cuò)行為及其控制工藝研究進(jìn)展

NCM綜述 | 哈爾濱工業(yè)大學(xué)朱嘉琦教授:單晶金剛石異質(zhì)外延生長過程中的位錯(cuò)行為及其控制工藝研究進(jìn)展
NCM綜述 | 哈爾濱工業(yè)大學(xué)朱嘉琦教授:單晶金剛石異質(zhì)外延生長過程中的位錯(cuò)行為及其控制工藝研究進(jìn)展
NCM綜述 | 哈爾濱工業(yè)大學(xué)朱嘉琦教授:單晶金剛石異質(zhì)外延生長過程中的位錯(cuò)行為及其控制工藝研究進(jìn)展

單晶金剛石憑借優(yōu)異的力、熱、光、電等性質(zhì),在探測(cè)器、功率器件、量子計(jì)算等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景,但大尺寸低缺陷高純度晶體的合成是制約其應(yīng)用的主要瓶頸。作為兩種最常用的C...

日期 2021-12-29   
上海光機(jī)所在金剛石異質(zhì)外延方面取得進(jìn)展

上海光機(jī)所在金剛石異質(zhì)外延方面取得進(jìn)展

到目前為止,解決固體激光器的熱管理問題仍然具有挑戰(zhàn)性。在所有已知材料中,金剛石具有最高的熱導(dǎo)率、極其穩(wěn)定的物化性...

日期 2021-09-16   

高氣壓下雙基片結(jié)構(gòu)MPCVD側(cè)向外延生長單晶金剛石的研究

高氣壓下雙基片結(jié)構(gòu)MPCVD側(cè)向外延生長單晶金剛石的研究
高氣壓下雙基片結(jié)構(gòu)MPCVD側(cè)向外延生長單晶金剛石的研究
高氣壓下雙基片結(jié)構(gòu)MPCVD側(cè)向外延生長單晶金剛石的研究

單晶金剛石(SCD)具有優(yōu)異的物理化學(xué)性能,在制備時(shí)通常需要高功率微波等離子體源,可以通過提高功率或者增加壓力等方式來進(jìn)行制備。然而,在高沉積壓力作用下,微波等離子球的...

日期 2021-09-09   

“超大”單晶片和“超大”鉆石生長之:金剛石異質(zhì)外延

“超大”單晶片和“超大”鉆石生長之:金剛石異質(zhì)外延
“超大”單晶片和“超大”鉆石生長之:金剛石異質(zhì)外延
“超大”單晶片和“超大”鉆石生長之:金剛石異質(zhì)外延

金剛石具有寬帶隙,高熱導(dǎo)率,高載流子遷移率,低介電常數(shù)等優(yōu)越特性,在各領(lǐng)域中有著巨大的應(yīng)用價(jià)值。其中,金剛石單晶更以其沒有晶界和較低的缺陷密度而成為目前金剛石在高功率及...

日期 2019-05-10   

LED芯片 16 種襯底、外延及芯片結(jié)構(gòu)分析

近幾年LED技術(shù)發(fā)展迅速,取得襯底、外延及芯片核心技術(shù)突破性進(jìn)展。1、圖形化襯底LED外延現(xiàn)階段普遍使用圖形化襯底(PSS),PSS目前分為微米級(jí)PSS和納米級(jí)nPSS...

日期 2016-01-07   
一種利用等離子體擋板優(yōu)化單晶金剛石同質(zhì)外延生長的方法

一種利用等離子體擋板優(yōu)化單晶金剛石同質(zhì)外延生長的方法

申請(qǐng)?zhí)枺?01510443127.5申請(qǐng)人:哈爾濱工業(yè)大學(xué)發(fā)明人:朱嘉琦舒國陽代兵陳亞男楊磊王強(qiáng)王楊劉康趙繼文孫...

日期 2015-11-06   

一種同質(zhì)外延生長單晶金剛石的籽晶襯底真空釬焊方法

申請(qǐng)?zhí)枺?01510459097.7申請(qǐng)人:哈爾濱工業(yè)大學(xué)發(fā)明人:朱嘉琦舒國陽代兵楊磊王強(qiáng)王楊陳亞男趙繼文劉康孫明琪韓杰才摘要:一種同質(zhì)外延生長單晶金剛石的籽晶襯底真空...

日期 2015-10-28   

一種同質(zhì)外延生長單晶金剛石時(shí)控制表面溫度的方法

申請(qǐng)?zhí)枺?01510199722.9申請(qǐng)人:哈爾濱工業(yè)大學(xué)發(fā)明人:舒國陽代兵朱嘉琦王楊楊磊韓杰才&

日期 2015-07-30   

金剛石同質(zhì)外延橫向生長方法

申請(qǐng)?zhí)枺?01510023907.4申請(qǐng)人:王宏興發(fā)明人:王宏興李碩業(yè)王瑋張景文卜忍安侯洵摘要:本

日期 2015-06-03   
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2023年9月20日,時(shí)隔四年,期待已久的第六屆磨料磨具磨削展覽會(huì)在鄭州國際會(huì)展中心隆重開幕。本次展覽會(huì)由中國機(jī)械工業(yè)集團(tuán)有限公司、國機(jī)精工股份有限公司、中國機(jī)械國際合作股份有限公司聯(lián)合主辦。旨在推動(dòng)中國磨料磨具行業(yè)的快速發(fā)展,加強(qiáng)國內(nèi)外企業(yè)的交流與合作。