沃爾德：公司深耕單晶及多晶金剛石在功率半導(dǎo)體器件熱沉方面的應(yīng)用

金融研究中心03月18日訊，有投資者向沃爾德提問，請問能否詳細(xì)介紹公司在金剛石熱沉材料的發(fā)展現(xiàn)狀以及未來展望公司回答表示，尊敬的投資者您好！金剛石具有帶隙寬、熱導(dǎo)率高（...

西電張進(jìn)成教授等在金剛石高壓功率器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

近日，西安電子科技大學(xué)郝躍院士團(tuán)隊(duì)張進(jìn)成教授、張金風(fēng)教授研究組在超寬禁帶半導(dǎo)體金剛石功率器件方向取得重要進(jìn)展。在國際知名期刊《IEEEElectronDeviceLet...

全球首套！金剛石量子器件新突破！

近日，由南方電網(wǎng)公司輸配電部牽頭，南網(wǎng)數(shù)研院、南網(wǎng)傳感公司、中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)所、超高壓輸電公司、貴州電網(wǎng)公司...

深入解析 GaN 器件金剛石近結(jié)散熱技術(shù)：鍵合、生長、鈍化生長

在追求更高功率密度和更優(yōu)性能的電子器件領(lǐng)域，GaN（氮化鎵）器件因其卓越的性能而備受矚目。然而，隨著功率密度的不...

寧波材料所與鄭州大學(xué)實(shí)現(xiàn)金剛石/氧化鎵異質(zhì)結(jié)器件突破

近期，中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所硅基太陽電池及寬禁帶半導(dǎo)體團(tuán)隊(duì)與鄭州大學(xué)金剛石材料與器件團(tuán)隊(duì)、南京大學(xué)以...

安徽碳索芯材申請金剛石主動(dòng)散熱器件專利，提高散熱效率

金融界2024年12月19日消息，國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，安徽碳索芯材科技有限公司申請一項(xiàng)名為“一種金剛石主動(dòng)散熱器件”的專利，公開號CN119136508A，申請日期...

上海微系統(tǒng)所科研團(tuán)隊(duì)在金剛石基氧化鎵異質(zhì)集成材料與器件領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展

中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)所異質(zhì)集成XOI團(tuán)隊(duì)和南京電子研究所超寬禁帶半導(dǎo)體研究團(tuán)隊(duì)合作，在金剛石基氧化鎵異質(zhì)集成材料...

金剛石多晶材料：高功率器件散熱解決方案

隨著電子器件功率密度的不斷提升，尤其是在5G通信、電動(dòng)汽車、高功率激光器、雷達(dá)和航空航天等領(lǐng)域，對高效散熱解決方...

金剛石，功率半導(dǎo)體器件的終極選擇！

功率半導(dǎo)體器件是幾乎所有電子制造行業(yè)使用的電子電源系統(tǒng)的核心部件。典型應(yīng)用領(lǐng)域包括消費(fèi)電子、移動(dòng)通信、電子設(shè)備等...

第三代、第四代半導(dǎo)體襯底材料如何高效加工？器件散熱如何攻克？Carbontech半導(dǎo)體與加工主題論壇，上海見

金剛石半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化在即金剛石半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化在即！生長技術(shù)大幅度提升，金剛石從工業(yè)級-寶石級-熱學(xué)級-光學(xué)級-電子級，逐步躍遷，同時(shí)價(jià)格下行，帶動(dòng)應(yīng)用端的嘗試。市場需求驅(qū)動(dòng)...

金剛石助力半導(dǎo)體器件散熱

12月5-7日，由DT新材料主辦的第八屆國際碳材料大會(huì)暨產(chǎn)業(yè)展覽會(huì)（Carbontech2024）將在上海新國際博覽中心隆重舉辦。同期針對半導(dǎo)體與加工主題特設(shè)4大論壇，...

【深度解析】金剛石多晶散熱在高功率器件中的應(yīng)用與價(jià)值

在當(dāng)今科技飛速發(fā)展的時(shí)代，高功率器件的應(yīng)用越來越廣泛，從通信領(lǐng)域的射頻功率放大器到激光技術(shù)中的高功率激光器，從先...

哈爾濱工業(yè)大學(xué)在金剛石半導(dǎo)體器件領(lǐng)域取得重大突破：超低阻歐姆接觸

【導(dǎo)讀】單片集成互補(bǔ)邏輯電路與高速光互聯(lián)建立在無數(shù)金屬-半導(dǎo)體接觸基礎(chǔ)之上，而低電阻且耐久的歐姆接觸是制約超寬禁帶半導(dǎo)體光電子器件性能與應(yīng)用的一大因素。近日，哈工大紅外...

打破近30年記錄！哈工大金剛石半導(dǎo)體器件重大突破

單片集成互補(bǔ)邏輯電路與高速光互聯(lián)建立在無數(shù)金屬-半導(dǎo)體接觸基礎(chǔ)之上，而低電阻且耐久的歐姆接觸是制約超寬禁帶半導(dǎo)體光電子器件性能與應(yīng)用的一大因素。近日，哈工大紅外薄膜與晶...

揭秘金剛石在高功率器件中的應(yīng)用與市場化難題

在當(dāng)今快速發(fā)展的電子科技領(lǐng)域，材料創(chuàng)新是推動(dòng)技術(shù)進(jìn)步的重要驅(qū)動(dòng)力。金剛石，這一集力學(xué)、電學(xué)、熱學(xué)、光學(xué)、聲學(xué)及耐...

中兵紅箭：已開發(fā)出適用于金剛石半導(dǎo)體器件研究的襯底材料

e公司訊，中兵紅箭5月17日在互動(dòng)平臺表示，公司目前已開發(fā)出適用于高校院所進(jìn)行金剛石半導(dǎo)體器件研究的襯底材料，在金剛石半導(dǎo)體材料的尺寸、成本等方面尚未達(dá)到產(chǎn)業(yè)化推廣的門...

“終極半導(dǎo)體材料”商用再進(jìn)一步！ 2英寸單晶金剛石電子器件量產(chǎn)

據(jù)西安交大官網(wǎng)，近日,西安交通大學(xué)王宏興教授團(tuán)隊(duì)經(jīng)過十年不懈努力，成功實(shí)現(xiàn)了2英寸異質(zhì)外延單晶金剛石自支撐襯底的量產(chǎn)，這是金剛石電子器件領(lǐng)域的一大突破。金剛石半導(dǎo)體，被...

會(huì)議通知|2024半導(dǎo)體材料與電子元器件發(fā)展論壇

異質(zhì)外延單晶金剛石及其相關(guān)電子器件的研究進(jìn)展

1異質(zhì)外延單晶金剛石微波等離子體化學(xué)氣相沉積（MPCVD）是高質(zhì)量單晶金剛石制備的主流方法。根據(jù)襯底選擇可將其分為同質(zhì)外延和異質(zhì)外延兩種。同質(zhì)外延以單晶金剛石為襯底，通...

中國科學(xué)院大學(xué)碳量子材料與器件實(shí)驗(yàn)室：大面積多晶金剛石晶圓拋光技術(shù)研究進(jìn)展

化學(xué)氣相沉積法（CVD）生產(chǎn)的多晶金剛石晶圓由于面積大、生產(chǎn)條件相對溫和、生產(chǎn)成本相對較低等優(yōu)勢，廣泛應(yīng)用于集成...