申請(qǐng)?zhí)枺?01710322318.5
       申請(qǐng)人：中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所
       發(fā)明人：齊成軍 陳建麗 張嵩 王再恩 王軍山 蘭飛飛 李強(qiáng) 賴占平 孫科偉

       摘要： 本發(fā)明公開了一種利用方形槽鑲嵌式襯底托抑制多晶金剛石生長(zhǎng)的方法。首先制作襯底托，在襯底托表面中央位置開兩個(gè)同心的方形槽；將襯底托表面及槽內(nèi)磨平拋光；用無水乙醇進(jìn)行超聲清洗，再等離子體清洗；將單晶金剛石襯底用丙酮進(jìn)行超聲清洗，置于襯底托槽內(nèi)，再裝入生長(zhǎng)設(shè)備；在設(shè)備中對(duì)襯底進(jìn)行等離子體清洗；再加入甲烷，進(jìn)行單晶金剛石生長(zhǎng)。由于石墨體在襯底與襯底托之間沉積，襯底側(cè)邊與襯底托有接觸，增大了襯底邊緣的冷卻效果，優(yōu)化單晶金剛石襯底整體溫度均勻性；極大地避免了襯底邊緣出現(xiàn)多晶生長(zhǎng)。通過實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)利用方形槽鑲嵌式襯底托可有效抑制了單晶金剛石在生長(zhǎng)過程中的邊緣多晶，獲得了尺寸不縮小的單晶金剛石樣品。        主權(quán)利要求：1.一種利用方形槽鑲嵌式襯底托抑制多晶金剛石生長(zhǎng)的方法，其特征在于，所述方法如下：（1）、制作方形槽鑲嵌式襯底托a）、根據(jù)單晶金剛石襯底的規(guī)格按照設(shè)計(jì)圖紙制作MPCVD襯底托，在襯底托表面中央位置開兩個(gè)同心的方形槽；b）、將襯底托表面及槽內(nèi)磨平拋光；c）、利用無水乙醇對(duì)襯底托表面進(jìn)行超聲清洗，然后在MPCVD氫氣氛等離子體條件下進(jìn)行表面等離子體清洗；（2）、利用方形槽鑲嵌式襯底托進(jìn)行單晶金剛石制備d）、將單晶金剛石襯底利用丙酮進(jìn)行超聲清洗；e）、將清洗完成的單晶金剛石襯底置于方形槽鑲嵌式襯底托的槽內(nèi)，然后整體裝入MPCVD生長(zhǎng)設(shè)備；f）、在MPCVD設(shè)備中對(duì)單晶金剛石襯底進(jìn)行等離子體清洗；g）、加入甲烷，進(jìn)行單晶金剛石生長(zhǎng)；h）、生長(zhǎng)結(jié)束之后，取出單晶金剛石。