3月24日消息，國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，深圳優(yōu)普萊等離子體技術(shù)有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種平整多晶金剛石膜的制備方法、系統(tǒng)及終端”的專利，公開號(hào) CN 119663439 A，申請(qǐng)日期為2025年1月。

       專利摘要顯示，本發(fā)明公開了一種平整多晶金剛石膜的制備方法、系統(tǒng)及終端，所述方法包括：獲取單晶硅襯底和納米金剛石懸浮液，并將所述納米金剛石懸浮液在所述單晶硅襯底上進(jìn)行旋涂處理，得到均勻旋涂液薄膜；設(shè)置預(yù)設(shè)金剛石生長環(huán)境和具有預(yù)設(shè)散熱配比的目標(biāo)鉬片并根據(jù)所述目標(biāo)鉬片和所述預(yù)設(shè)金剛石生長環(huán)境對(duì)所述均勻旋涂液薄膜進(jìn)行金剛石培育處理，得到初始多晶金剛石薄膜；對(duì)所述初始多晶金剛石薄膜進(jìn)行再處理，得到目標(biāo)多晶金剛石膜。本發(fā)明通過設(shè)置預(yù)設(shè)金剛石生長環(huán)境和具有預(yù)設(shè)散熱配比的目標(biāo)鉬片，以此來實(shí)現(xiàn)對(duì)多晶金剛石薄膜內(nèi)部應(yīng)力分布的控制，后續(xù)經(jīng)過再處理后，能夠得到大尺寸且翹曲度低的多晶金剛石膜。