摘要 申請(qǐng)?zhí)枺?01621057920.8申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院金屬研究所發(fā)明人:姜辛劉魯生黃楠楊兵翟超峰李俊豪賈心怡摘要:本實(shí)用新型涉及金剛石膜生長(zhǎng)領(lǐng)域,尤其涉及一種高功率大面積偏壓微波等...
申請(qǐng)?zhí)枺?01621057920.8
申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院金屬研究所
發(fā)明人:姜辛 劉魯生 黃楠 楊兵 翟超峰 李俊豪 賈心怡
摘要: 本實(shí)用新型涉及
金剛石膜生長(zhǎng)領(lǐng)域,尤其涉及一種高功率大面積偏壓微波等離子體
金剛石薄膜沉積裝置。該裝置在密閉的殼體之間設(shè)置石英管,石英管一端外部設(shè)有依次連接的截止波導(dǎo)、波導(dǎo)、調(diào)配器、微波源,截止波導(dǎo)上設(shè)置冷卻水出口;石英管另一端外部設(shè)有短路活塞,短路活塞所在的活塞缸上設(shè)有冷卻水入口,所述石英管另一端外部與反應(yīng)氣體入口連通;石英管的上部設(shè)有光電溫度計(jì),下部設(shè)有真空系統(tǒng)、直流偏壓電源;石英管內(nèi)部設(shè)有基片臺(tái)、基片,基片設(shè)置于基片臺(tái)上,直流偏壓電源通過(guò)電纜與基片臺(tái)相連。本實(shí)用新型在高功率大面積微波等離子體沉積裝置的基片臺(tái)上加裝直流負(fù)偏壓系統(tǒng),能夠制備面積大、均勻性好、純度高、結(jié)晶形態(tài)好的金剛石單晶膜。
主權(quán)利要求:1.一種高功率大面積偏壓微波等離子體金剛石膜薄膜沉積裝置,其特征于,該裝置設(shè)有密閉的殼體,殼體之間為石英管,石英管一端外部設(shè)有依次連接的截止波導(dǎo)、波導(dǎo)、調(diào)配器、微波源,截止波導(dǎo)上設(shè)置冷卻水出口;石英管另一端外部設(shè)有短路活塞,短路活塞所在的活塞缸上設(shè)有冷卻水入口,所述石英管另一端外部與反應(yīng)氣體入口連通;石英管的上部設(shè)有光電溫度計(jì),石英管的下部設(shè)有真空系統(tǒng)、直流偏壓電源;石英管內(nèi)部設(shè)有基片臺(tái)、基片,基片設(shè)置于基片臺(tái)上,直流偏壓電源通過(guò)電纜與基片臺(tái)相連。
2.按照權(quán)利要求1所述的高功率大面積偏壓微波等離子體金剛石膜薄膜沉積裝置,其特征于,殼體物理接地。
3.按照權(quán)利要求1所述的高功率大面積偏壓微波等離子體金剛石膜薄膜沉積裝置,其特征于,冷卻水出口通過(guò)管路與外部冷水設(shè)備連接。
4.按照權(quán)利要求1所述的高功率大面積偏壓微波等離子體金剛石膜薄膜沉積裝置,其特征于,反應(yīng)氣體入口通過(guò)管路與外部氣源連接,冷卻水入口通過(guò)管路與外部冷水設(shè)備連接。
5.按照權(quán)利要求1所述的高功率大面積偏壓微波等離子體金剛石膜薄膜沉積裝置,其特征于,真空系統(tǒng)通過(guò)管路與殼體相連。
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