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官方微信摘要 名稱制造碳化硅單晶的方法和用于制造碳化硅單晶的裝置公開號1225953公開日1999.08.18主分類號C30B29
| 名稱 | 制造碳化硅單晶的方法和用于制造碳化硅單晶的裝置 | ||
| 公開號 | 1225953 | 公開日 | 1999.08.18 |
| 主分類號 | C30B29/36 | 分類號 | C30B29/36 |
| 申請?zhí)?/strong> | 99100967.3 | ||
| 分案原申請?zhí)?/strong> | 申請日 | 1999.01.18 | |
| 頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | [32]1998.1.19[33]JP[31]007537/98;[32]1998.1.26[33] | |
| 申請人 | 住友電氣工業(yè)株式會社; 西野茂弘 | 地址 | |
| 發(fā)明人 | 鹽見弘; 西野茂弘 | 國際申請 | 日本大阪府 |
| 國際公布 | 進(jìn)入國家日期 | ||
| 專利代理機(jī)構(gòu) | 柳沈知識產(chǎn)權(quán)律師事務(wù)所 | 代理人 | 陶鳳波 |
| 摘要 | 一種用于制造ＳiＣ單晶的裝置，包括：一Ｓi設(shè)置部分，其中放有固態(tài)硅；一籽晶設(shè)置部分，其中放有ＳiＣ的籽晶；一合成容器，適合于容納Ｓi設(shè)置部分、籽晶設(shè)置部分和碳；加熱構(gòu)件，適合于加熱Ｓi設(shè)置部分和籽晶設(shè)置部分；和一控制部分，用于向加熱構(gòu)件輸送一指令，以將硅加熱到硅的蒸發(fā)溫度或更高，和將籽晶加熱到高于Ｓi的溫度；其中，由加熱構(gòu)件蒸發(fā)的Ｓi適于達(dá)到籽晶設(shè)置部分。本發(fā)明還涉及制造ＳiＣ單晶的方法。 | ||
豫公網(wǎng)安備41019702003646號