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生產(chǎn)碳化硅單晶的方法

關(guān)鍵詞 碳化硅單晶|2010-12-23 00:00:00|行業(yè)專利|來源 中國超硬材料網(wǎng)
摘要 名稱生產(chǎn)碳化硅單晶的方法公開號(hào)1191580公開日1998.08.26主分類號(hào)C30B7/00

 

名稱 生產(chǎn)碳化硅單晶的方法 
公開號(hào) 1191580  公開日 1998.08.26   
主分類號(hào) C30B7/00  分類號(hào) C30B7/00 
申請(qǐng)?zhí)?/strong> 96195700.X 
分案原申請(qǐng)?zhí)?/strong>   申請(qǐng)日 1996.07.17   
頒證日   優(yōu)先權(quán) [32]1995.7.27[33]DE[31]19527536.5 
申請(qǐng)人 西門子公司  地址 聯(lián)邦德國慕尼黑 
發(fā)明人 勒內(nèi)·斯坦; 羅蘭·魯普; 約翰尼斯·沃爾科    國際申請(qǐng) PCT.DE96/01299 96.7.17 
國際公布 WO97.5303 德 97.2.13  進(jìn)入國家日期 1998.01.21  
專利代理機(jī)構(gòu) 柳沈知識(shí)產(chǎn)權(quán)律師事務(wù)所    代理人 范明娥 
摘要   公開了一種生產(chǎn)SiC立體單晶的新方法。在高的超壓下將SiC粉末或者其它原料溶解在一種溶劑中,并在一個(gè)晶核上生長。 
 

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