生產(chǎn)碳化硅單晶的方法
關(guān)鍵詞 碳化硅單晶|2010-12-23 00:00:00|行業(yè)專利|來源 中國超硬材料網(wǎng)
摘要 名稱生產(chǎn)碳化硅單晶的方法公開號(hào)1191580公開日1998.08.26主分類號(hào)C30B7/00
名稱 |
生產(chǎn)碳化硅單晶的方法 |
公開號(hào) |
1191580 |
公開日 |
1998.08.26 |
主分類號(hào) |
C30B7/00 |
分類號(hào) |
C30B7/00 |
申請(qǐng)?zhí)?/strong> |
96195700.X |
分案原申請(qǐng)?zhí)?/strong> |
|
申請(qǐng)日 |
1996.07.17 |
頒證日 |
|
優(yōu)先權(quán) |
[32]1995.7.27[33]DE[31]19527536.5 |
申請(qǐng)人 |
西門子公司 |
地址 |
聯(lián)邦德國慕尼黑 |
發(fā)明人 |
勒內(nèi)·斯坦; 羅蘭·魯普; 約翰尼斯·沃爾科 |
國際申請(qǐng) |
PCT.DE96/01299 96.7.17 |
國際公布 |
WO97.5303 德 97.2.13 |
進(jìn)入國家日期 |
1998.01.21 |
專利代理機(jī)構(gòu) |
柳沈知識(shí)產(chǎn)權(quán)律師事務(wù)所 |
代理人 |
范明娥 |
摘要 |
公開了一種生產(chǎn)SiC立體單晶的新方法。在高的超壓下將SiC粉末或者其它原料溶解在一種溶劑中,并在一個(gè)晶核上生長。 |
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