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日本:多家企業(yè)大舉進(jìn)軍8英寸鍵合碳化硅襯底

日本:多家企業(yè)大舉進(jìn)軍8英寸鍵合碳化硅襯底

鍵合碳化硅襯底即指通過在低電阻多晶SiC支撐襯底上鍵合一層高質(zhì)量的單晶SiC薄層,這些產(chǎn)品能夠在保持單晶SiC特...

日期 2024-10-14   

日本防務(wù)省資助富士通公司研究金剛石和碳化硅襯底散熱技術(shù),將顯著提高GaN HEMT性能

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日本防務(wù)省資助富士通公司研究金剛石和碳化硅襯底散熱技術(shù),將顯著提高GaN HEMT性能

12月6日至9日美國(guó)加利福尼亞州的IEEE半導(dǎo)體接口專家會(huì)議(SISC2017)上,日本富士通公司及其子公司富士通實(shí)驗(yàn)室公司(FujitsuLaboratoriesLt...

日期 2017-12-22   

碳化硅襯底上具有導(dǎo)電緩沖中間層結(jié)構(gòu)的Ⅲ族氮化物光子器件

名稱碳化硅襯底上具有導(dǎo)電緩沖中間層結(jié)構(gòu)的Ⅲ族氮化物光子器件公開號(hào)1278949公開日2001.01.03主分類號(hào)H0

日期 2010-12-23   

碳化硅襯底及其制造方法以及使用碳化硅襯底的半導(dǎo)體元件

名稱碳化硅襯底及其制造方法以及使用碳化硅襯底的半導(dǎo)體元件公開號(hào)1237272公開日1999.12.01主分類號(hào)H01

日期 2010-12-23   

下游擴(kuò)張推動(dòng)藍(lán)寶石襯底需求持續(xù)走高 爭(zhēng)奪碳化硅襯底市場(chǎng)

據(jù)統(tǒng)計(jì),由于大量LED廠商不斷向上游進(jìn)軍,對(duì)MOCVD設(shè)備的需求急劇擴(kuò)大,2011年僅亞太地區(qū)的設(shè)備采購量就有望突破1000臺(tái),通過傳導(dǎo)作用,全球市場(chǎng)對(duì)LED藍(lán)寶石襯底...

日期 2010-11-26   
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第六屆磨料磨具磨削展覽會(huì)暨2023金剛石產(chǎn)業(yè)大會(huì)

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2023年9月20日,時(shí)隔四年,期待已久的第六屆磨料磨具磨削展覽會(huì)在鄭州國(guó)際會(huì)展中心隆重開幕。本次展覽會(huì)由中國(guó)機(jī)械工業(yè)集團(tuán)有限公司、國(guó)機(jī)精工股份有限公司、中國(guó)機(jī)械國(guó)際合作股份有限公司聯(lián)合主辦。旨在推動(dòng)中國(guó)磨料磨具行業(yè)的快速發(fā)展,加強(qiáng)國(guó)內(nèi)外企業(yè)的交流與合作。