手機(jī)資訊
官方微信摘要 名稱碳化硅襯底上具有導(dǎo)電緩沖中間層結(jié)構(gòu)的Ⅲ族氮化物光子器件公開號(hào)1278949公開日2001.01.03主分類號(hào)H0
| 名稱 | 碳化硅襯底上具有導(dǎo)電緩沖中間層結(jié)構(gòu)的Ⅲ族氮化物光子器件 | ||
| 公開號(hào) | 1278949 | 公開日 | 2001.01.03 |
| 主分類號(hào) | H01L33/00 | 分類號(hào) | H01L33/00 |
| 申請?zhí)?/strong> | 98811065.2 | ||
| 分案原申請?zhí)?/strong> | 申請日 | 1998.10.06 | |
| 頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | 1997.10.7 US 08/944,547 | |
| 申請人 | 克里公司 | 地址 | 美國北卡羅萊納 |
| 發(fā)明人 | J·A·艾德蒙得;孔華雙;K·M·多弗斯派克;M·T·萊昂? | 國際申請 | PCT.US98/21160 1998.10.6 |
| 國際公布 | WO99.18617 英 1999.4.15 | 進(jìn)入國家日期 | 2000.05.11 |
| 專利代理機(jī)構(gòu) | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人 | 段承恩 |
| 摘要 | 這里公開了一種具有Ⅲ族氮化物有源層的光電子器件，該器件包括：碳化硅襯底；具有Ⅲ族氮化物有源層的光電子二極管；選自由氮化鎵和銦鎵氮構(gòu)成的組中的緩沖結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)位于所說碳化硅襯底和所說光電子二極管間；及應(yīng)力吸收結(jié)構(gòu)，包括在所說緩沖結(jié)構(gòu)的晶體結(jié)構(gòu)內(nèi)的多個(gè)預(yù)定應(yīng)力釋放區(qū)，以便所說緩沖結(jié)構(gòu)中產(chǎn)生的應(yīng)力誘發(fā)開裂，發(fā)生在所說緩沖層內(nèi)的預(yù)定區(qū)域，而非其它區(qū)域。 | ||
豫公網(wǎng)安備41019702003646號(hào)