所周知，當表面上存在臺階結構時，有可能導致懸鍵或額外應變的發(fā)生，因而一般不如平面穩(wěn)定，這種情形對于Si(001)表面確實如此。但是，對于金剛石而言，盡管和硅有著相同的晶體結構，其(001)表面的臺階結構卻和硅大相徑庭。近日，中科院物理所的楊洪新、徐力方、方忠、顧長志研究員和美國倫斯勒理工學院(Rensselaer Polytechnic Institute)的張繩百教授合作，用第一原理深入地研究了清潔的金剛石(001)表面的臺階結構，通過計算臺階形成能，發(fā)現(xiàn)臺階結構比2×1結構的平面更穩(wěn)定。相關結果已于2008年1月14日發(fā)表在最新一期的《物理評論快報》（Phys. Rev. Lett. 100(2008)026101）上。
　　
　　半導體表面一個最普遍存在的現(xiàn)象是發(fā)生晶格再構，它導致了表面具有各種不同于體內的物理性質。正是由于表面再構在基礎和應用研究方面具有的重要性，幾十年來人們做了大量的工作。能否提出一個簡單的理論，從而在研究一些典型的半導體表面再構時給出一定的規(guī)律，這是人們長期追求的目標。
　　
　　基于此，他們對碳元素提出了一個用來探索其再構的計鍵規(guī)則 (Bond-Counting Rule)，并且應用于金剛石(001)臺階面的再構，與計算結果無一例外的一致。更深入的分析發(fā)現(xiàn)，穩(wěn)定的臺階結構所引起的扭曲σ鍵比平面2×1再構要少，因而導致其更穩(wěn)定。這項新的工作發(fā)現(xiàn)了金剛石(001)表面臺階化的本質，計算結果和目前國外其它小組STM觀測的實驗結果完全一致，指出了金剛石表面的臺階化與硅表面臺階化的根本不同，深入認識了金剛石表面臺階的性質，為利用金剛石表面制作各種高可靠性器件奠定了基礎。上述研究工作得到中國科學院、國家自然科學基金和科技部項目的支持。