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官方微信摘要 名稱(chēng)金剛石膜上的薄層硅結(jié)構(gòu)芯片材料及其制備方法公開(kāi)號(hào)1132408公開(kāi)日1996.10.02主分類(lèi)號(hào)H01L21/0
| 名稱(chēng) | 金剛石膜上的薄層硅結(jié)構(gòu)芯片材料及其制備方法 | ||
| 公開(kāi)號(hào) | 1132408 | 公開(kāi)日 | 1996.10.02 |
| 主分類(lèi)號(hào) | H01L21/00 | 分類(lèi)號(hào) | H01L21/00 |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 95119375.9 | ||
| 分案原申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 申請(qǐng)日 | 1995.12.12 | |
| 頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | ||
| 申請(qǐng)人 | 吉林大學(xué) | 地址 | 130023吉林省長(zhǎng)春市解放大路123號(hào) |
| 發(fā)明人 | 顧長(zhǎng)志; 金曾孫 | 國(guó)際申請(qǐng) | |
| 國(guó)際公布 | 進(jìn)入國(guó)家日期 | ||
| 專(zhuān)利代理機(jī)構(gòu) | 吉林大學(xué)專(zhuān)利事務(wù)所 | 代理人 | 王恩遠(yuǎn) |
| 摘要 | 金剛石膜上的薄層硅結(jié)構(gòu)屬用于制作電子器件的芯片材料。制備過(guò)程大致是在鍵合單晶硅（５）上順次形成ＳiO#-[2]過(guò)渡層(6)、金剛石膜（７）、Si#-[3] N#-[4]保護(hù)層（８），其上再生長(zhǎng)的多晶硅經(jīng)氧化形成鍵合二氧化硅層（３）。鍵合單晶硅（５）上形成的鍵合二氧化硅層（３）跟襯底單晶硅（１）上的襯底二氧化硅層（２）經(jīng)親水處理、水中密合、高溫鍵合及退火處理形成ＳＯＤ結(jié)構(gòu)。本發(fā)明ＳＯＤ結(jié)構(gòu)薄層硅晶格完整、鍵合牢固、成品率高；制作電子器件具有良好的抗輻射性能、導(dǎo)熱性能和絕緣性能。 | ||
豫公網(wǎng)安備41019702003646號(hào)