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官方微信摘要 名稱氮化鋁、碳化硅及氮化鋁∶碳化硅合金塊狀單晶的制備方法公開號(hào)1344336公開日2002.04.10主分類號(hào)C30
| 名稱 | 氮化鋁、碳化硅及氮化鋁∶碳化硅合金塊狀單晶的制備方法 | ||
| 公開號(hào) | 1344336 | 公開日 | 2002.04.10 |
| 主分類號(hào) | C30B29/36 | 分類號(hào) | C30B29/36;C30B29/38;C30B23/00;C30B29/40 |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 99811961.X | ||
| 分案原申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 申請(qǐng)日 | 1999.10.08 | |
| 頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | 1998.10.9__US_09/169,401 | |
| 申請(qǐng)人 | 克里公司 | 地址 | 美國北卡羅萊納 |
| 發(fā)明人 | C·E·亨特 | 國際申請(qǐng) | PCT/US99/23487 1999.10.8 |
| 國際公布 | WO00/22203 英 2000.4.20 | 進(jìn)入國家日期 | 2001.04.09 |
| 專利代理機(jī)構(gòu) | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人 | 段承恩 |
| 摘要 | 采用在許多成核點(diǎn)沉積Al、Si、N、C的適當(dāng)蒸汽物質(zhì)制備了低缺陷濃度、低雜質(zhì)的氮化鋁、碳化硅及氮化鋁：碳化硅合金塊狀單晶，這些成核點(diǎn)是擇優(yōu)冷卻至低于晶體生長(zhǎng)室內(nèi)周圍表面溫度的。通過升華固態(tài)材料、汽化液態(tài)Al、Si或Al－Si、或注入源氣體來提供蒸汽物質(zhì)。這些許多成核點(diǎn)可能未引種或者采用籽晶如4H或6HSiC進(jìn)行經(jīng)引種的。 | ||
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