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官方微信摘要 名稱熱陰極輝光等離子體化學相沉積制備金剛石膜的工藝公開號1107900公開日1995.09.06主分類號C23C16
| 名稱 | 熱陰極輝光等離子體化學相沉積制備金剛石膜的工藝 | ||
| 公開號 | 1107900 | 公開日 | 1995.09.06 |
| 主分類號 | C23C16/26 | 分類號 | C23C16/26 |
| 申請?zhí)?/strong> | 94116283.4 | ||
| 分案原申請?zhí)?/strong> | 申請日 | 1994.09.24 | |
| 頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | ||
| 申請人 | 吉林大學 | 地址 | 130023吉林省長春市解放大路123號 |
| 發(fā)明人 | 金曾孫; 呂憲義; 姜志剛; 鄒廣田 | 國際申請 | |
| 國際公布 | 進入國家日期 | ||
| 專利代理機構(gòu) | 吉林大學專利事務(wù)所 | 代理人 | 王恩遠 |
| 摘要 | 本發(fā)明的熱陰極輝光PCVD制備金剛石膜的工藝屬于一種制膜技術(shù)。工藝過程是 :將清洗好的基片置于真空罩(室)內(nèi)的陽極底座上，抽真空后，充入原料氣體，在兩極間加直流電壓產(chǎn)生輝光，并保持陰極的溫度在500℃以上。本工藝的陰極材料采用電子脫出功小、熔點高的金屬制成，例如:Ta、Mo、W等。這種工藝的工作氣壓范圍寬，輝光穩(wěn)定，碳氫化合物的濃度較高，從而使金剛石膜的質(zhì)量好，生長速率高，面積易于擴大，可制備出大面積厚膜，工藝條件也易于控制。 | ||
豫公網(wǎng)安備41019702003646號