申請(qǐng)?zhí)枺?01510870990.9
　　申請(qǐng)人：中國(guó)科學(xué)院深圳先進(jìn)技術(shù)研究院
　　發(fā)明人：唐永炳 朱雨 ?；芑?

　　摘要： 本發(fā)明適用于金剛石合成技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種用于制備金剛石的基臺(tái)組件，包括水冷臺(tái)和設(shè)置在所述水冷臺(tái)上的基片托，所述水冷臺(tái)和所述基片托緊密連接，其中，所述基片托近外邊緣處的上下表面開(kāi)設(shè)環(huán)形槽，分別形成上熱橋和下熱橋，所述水冷臺(tái)和所述基片托之間設(shè)置有導(dǎo)熱墊圈，所述導(dǎo)熱墊圈設(shè)置在所述基片托下表面、以所述下熱橋?yàn)榻绲耐馊Σ糠帧? 　　主權(quán)利要求：1.一種用于制備金剛石的基臺(tái)組件，包括水冷臺(tái)和設(shè)置在所述水冷臺(tái)上的基片托，其特征在于，所述水冷臺(tái)和所述基片托緊密連接，其中，所述基片托近外邊緣處的上下表面開(kāi)設(shè)環(huán)形槽，分別形成上熱橋和下熱橋，所述水冷臺(tái)和所述基片托之間設(shè)置有導(dǎo)熱墊圈，所述導(dǎo)熱墊圈設(shè)置在所述基片托下表面、以所述下熱橋?yàn)榻绲耐馊Σ糠帧?br /> 　　2.如權(quán)利要求1所述的用于制備金剛石的基臺(tái)組件，其特征在于，所述環(huán)形槽與所述基片托外緣之間的距離為2-10mm；和/或所述上熱橋和下熱橋之間的距離≤2mm。
　　3.如權(quán)利要求1所述的用于制備金剛石的基臺(tái)組件，其特征在于，所述導(dǎo)熱墊圈由導(dǎo)熱系數(shù)＞200W.m-1.K-1的導(dǎo)熱材料制成。
　　4.如權(quán)利要求3所述的用于制備金剛石的基臺(tái)組件，其特征在于，所述導(dǎo)熱墊圈為石墨墊圈、金屬墊圈或陶瓷墊圈中的一種，其中，所述金屬墊圈包括銅圈、銀圈、金圈；所述陶瓷墊圈包括氧化鋁墊圈、氮化鋁墊圈、氮化鎵墊圈。
　　5.如權(quán)利要求4所述的用于制備金剛石的基臺(tái)組件，其特征在于，所述導(dǎo)熱墊圈為石墨墊圈。
　　6.如權(quán)利要求1-5任一所述的用于制備金剛石的基臺(tái)組件，其特征在于，所述基片托為熔點(diǎn)≥2000℃的耐高溫材料；或所述基片托為表面涂覆有熔點(diǎn)≥2000℃的耐高溫材料的基體材料，且所述基體材料的熔點(diǎn)≥1500℃。
　　7.如權(quán)利要求1-5任一所述的用于制備金剛石的基臺(tái)組件，其特征在于，所述基片托上開(kāi)設(shè)有通孔，所述基片托通過(guò)穿過(guò)所述通孔的螺釘與所述水冷臺(tái)固定連接；或所述基片托和所述水冷臺(tái)之間焊接連接。
　　8.如權(quán)利要求1-5任一所述的用于制備金剛石的基臺(tái)組件，其特征在于，所述基片托的上表面邊緣具有圓弧倒角，所述圓弧倒角的半徑≤2mm。
　　9.如權(quán)利要求8所述的用于制備金剛石的基臺(tái)組件，其特征在于，所述基片托的上表面開(kāi)設(shè)有用于固定基片的凹槽。
　　10.如權(quán)利要求9所述的用于制備金剛石的基臺(tái)組件，其特征在于，所述凹槽由上下兩個(gè)梯田式槽構(gòu)成，其中，上槽大于下槽，且所述下槽和所述上槽的邊緣相距1-2mm。