申請?zhí)枺?01110016436.6
　　申請人：中國兵器裝備研究院
　　發(fā)明人：李偉 馮曉波 郭勝剛 陳曦 紀帆 董海燕 楊超 王琦

　　摘要：本發(fā)明是一種光導金剛石膜開關(guān)，屬于光導開關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種新型結(jié)構(gòu)的光導開關(guān)裝置。包括半導體薄膜(1)、光導開關(guān)負極(4)和光導開關(guān)的正極(2)，光導開關(guān)負極(4)連接在半導體薄膜(1)上，光導開關(guān)的正極(2)連接在半導體薄膜(1)，其特征于，在光導開關(guān)負極(4)和半導體薄膜(1)之間添加一層金剛石膜(5)，光導開關(guān)的正極(2)與光導開關(guān)負極(4)分別連接在半導體薄膜(1)的兩側(cè)，且光導開關(guān)的正極(2)與光導開關(guān)負極(4)相隔有距離。的壽命相較于傳統(tǒng)光導開關(guān)提高了一個量級，實驗表明本發(fā)明中光導開關(guān)可使用近萬次，比傳統(tǒng)光導開關(guān)近千次的使用壽命大幅提高。 　　主權(quán)利要求：1.一種光導金剛石膜開關(guān)，包括半導體薄膜(1)、光導開關(guān)負極(4)和光導開關(guān)的正極(2)，光導開關(guān)負極(4)連接在半導體薄膜(1)上，光導開關(guān)的正極(2)連接在半導體薄膜(1)，其特征于，在光導開關(guān)負極(4)和半導體薄膜(1)之間添加一層金剛石膜(5)，光導開關(guān)的正極(2)與光導開關(guān)負極(4)分別連接在半導體薄膜(1)的兩側(cè)，且光導開關(guān)的正極(2)與光導開關(guān)負極(4)相隔有距離。