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官方微信摘要 名稱一種無氫摻硅類金剛石膜層及其制備方法申請?zhí)?01210072931申請日2012年3月16日公告號102586735A
| 名稱 | 一種無氫摻硅類金剛石膜層及其制備方法 | ||
| 申請?zhí)?/strong> | 201210072931 | 申請日 | 2012年3月16日 |
| 公告號 | 102586735A | 公告日 | 2012年7月18日 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 廣東世紀(jì)專利事務(wù)所( 44216 ) | 代理人 | 千知化 |
| 申請人 | 廣州有色金屬研究院 | 地址 | 廣東省廣州市天河區(qū)長興路363號 |
| 發(fā)明人 | 胡芳 代明江 林松盛 侯惠君 韋春貝 石倩 張賀勇 | 主分類號 | C23C 14/06 |
| 國家/省市 | 中國廣州( 81 ) | 分類號 | C23C 14/06 C23C 14/35 |
| 摘要 | 一種無氫摻硅類金剛石膜層。其特征是依次由基體（１）；金屬層（２）；金屬碳化物層（３）；摻硅類金剛石膜層（４）構(gòu)成。制備方法是采用直流磁控濺射石墨靶、中頻磁控濺射碳化硅靶或硅靶以及離子源輔助沉積，依次氬離子清洗基體；沉積金屬層和金屬碳化物層；沉積無氫摻硅類金剛石膜層。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明方法所制備的膜層具有摩擦系數(shù)和磨損率低、膜層質(zhì)量好的特點(diǎn)。本發(fā)明膜層制備工藝簡單，重復(fù)性好，可制備出不同含硅量的無氫摻硅類金剛石膜層，能滿足濕度變化等特定環(huán)境下精密儀器傳動(dòng)部件精度的要求，提高其使用的精度、靈敏度和可靠性，適用于超集成電路、醫(yī)用器械、光學(xué)元件、雷達(dá)、航空飛行器等。 | ||
| 獨(dú)立權(quán)利要求 | １．一種無氫摻硅類金剛石膜層，其特征是所述的無氫摻硅類金剛石膜層依次由基體（１）；金屬層（２）；金屬碳化物層（３）；摻硅類金剛石膜層（４）構(gòu)成。 | ||
豫公網(wǎng)安備41019702003646號