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官方微信摘要 名稱一種制備碳化硅顆粒增強(qiáng)二硅化鉬基復(fù)合材料的原位復(fù)合方法公開號1344810公開日2002.04.17主分類號C2
| 名稱 | 一種制備碳化硅顆粒增強(qiáng)二硅化鉬基復(fù)合材料的原位復(fù)合方法 | ||
| 公開號 | 1344810 | 公開日 | 2002.04.17 |
| 主分類號 | C22C1/04 | 分類號 | C22C1/04;C22C29/18 |
| 申請?zhí)?/strong> | 01141978.4 | ||
| 分案原申請?zhí)?/strong> | 申請日 | 2001.09.26 | |
| 頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | ||
| 申請人 | 北京科技大學(xué) | 地址 | 100083北京市海淀區(qū)學(xué)院路30號 |
| 發(fā)明人 | 孫祖慶;張來慶;楊王∴;張躍;傅曉偉 | 國際申請 | |
| 國際公布 | 進(jìn)入國家日期 | ||
| 專利代理機(jī)構(gòu) | 北京科大華誼專利代理事務(wù)所 | 代理人 | 楊玲莉 |
| 摘要 | 一種制備碳化硅顆粒增強(qiáng)二硅化鉬基復(fù)合材料的原位復(fù)合方法，主要通過控制原位復(fù)合工藝參數(shù)，消除Mo、Si和C三元素粉末之間的低溫固一固反應(yīng)，而利用它們之間的固－液反應(yīng)原位合成MoSi#-[2]－SiC復(fù)合粉末，并用二次熱壓致密該 MoSi#-[2]－SiC復(fù)合粉末，來制備界面潔凈、無SiO#-[2]玻璃相和Mo#-[5]Si#-[3]，Mo#-[≤5] Si#-[3]C#-[≤1]等其他過渡相、細(xì)小彌散SiC顆粒增強(qiáng)MoSi#-[2]兩相復(fù)合材料。使該復(fù)合材料在不降低 MoSi#-[2]抗高溫氧化性的前提下，最大限度地改善MoSi#-[2]－SiC復(fù)合材料的低溫和高溫力學(xué)性能，并且工藝易于控制、設(shè)備簡單。 | ||
豫公網(wǎng)安備41019702003646號