名稱 | 表面待用碳化硅基體的回收 | ||
公開號 | 1252895 | 公開日 | 2000.05.10 |
主分類號 | H01L33/00 | 分類號 | H01L33/00 |
申請?zhí)?/strong> | 98804197.9 | ||
分案原申請?zhí)?/strong> | 申請日 | 1998.04.07 | |
頒證日 | 優(yōu)先權 | [32]1997.4.17[33]US[31]08/840,961 | |
申請人 | 克里研究公司 | 地址 | 美國北卡羅萊納 |
發(fā)明人 | G·H·尼格利 | 國際申請 | PCT.US98/06836 1998.4.7 |
國際公布 | WO98.47185 英 1998.10.22 | 進入國家日期 | 1999.10.15 |
專利代理機構 | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務所 | 代理人 | 龍傳紅 |
摘要 | 公開一種從碳化硅基體上的Ⅲ族氮化物雜外延結構回收表面待用碳化硅基體的方法。該方法包括向碳化硅基體上的Ⅲ族氮化物外延層施加應力使外延層內有效增加位錯數(shù)量以便讓外延層在無機酸內受到浸蝕和溶解,但反過來并不影響碳化硅基體,和隨后用無機酸接觸外延層以便去除Ⅲ族氮化物同時留下不受影響的碳化硅基體。 |