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表面待用碳化硅基體的回收

關鍵詞 碳化硅 , 基體 |2010-12-23 00:00:00|行業(yè)專利|來源 中國超硬材料網(wǎng)
摘要 名稱表面待用碳化硅基體的回收公開號1252895公開日2000.05.10主分類號H01L33/00

 

名稱 表面待用碳化硅基體的回收 
公開號 1252895  公開日 2000.05.10   
主分類號 H01L33/00  分類號 H01L33/00 
申請?zhí)?/strong> 98804197.9   
分案原申請?zhí)?/strong>   申請日 1998.04.07   
頒證日   優(yōu)先權 [32]1997.4.17[33]US[31]08/840,961 
申請人 克里研究公司    地址 美國北卡羅萊納  
發(fā)明人 G·H·尼格利    國際申請 PCT.US98/06836 1998.4.7 
國際公布 WO98.47185 英 1998.10.22  進入國家日期 1999.10.15  
專利代理機構 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務所    代理人 龍傳紅   
摘要   公開一種從碳化硅基體上的Ⅲ族氮化物雜外延結構回收表面待用碳化硅基體的方法。該方法包括向碳化硅基體上的Ⅲ族氮化物外延層施加應力使外延層內有效增加位錯數(shù)量以便讓外延層在無機酸內受到浸蝕和溶解,但反過來并不影響碳化硅基體,和隨后用無機酸接觸外延層以便去除Ⅲ族氮化物同時留下不受影響的碳化硅基體。  
 

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