名稱 | 具有預(yù)定的α碳化硅區(qū)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及此半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的應(yīng)用 | ||
公開(kāi)號(hào) | 1267397 | 公開(kāi)日 | 2000.09.20 |
主分類(lèi)號(hào) | H01L29/24 | 分類(lèi)號(hào) | H01L29/24;H01L29/78;H01L29/739 |
申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 98808324.8 | ||
分案原申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 申請(qǐng)日 | 1998.04.01 | |
頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | [32]1997.8.20[33]DE[31]19736211.7 | |
申請(qǐng)人 | 西門(mén)子公司 | 地址 | 德國(guó)慕尼黑 |
發(fā)明人 | 萊因霍爾德·肖納; 迪特里希·斯蒂法妮; 德薩德·彼得 | 國(guó)際申請(qǐng) | PCT.DE98/00931 1998.4.1 |
國(guó)際公布 | WO99.9598 德 1999.2.25 | 進(jìn)入國(guó)家日期 | 2000.02.21 |
專利代理機(jī)構(gòu) | 柳沈知識(shí)產(chǎn)權(quán)律師事務(wù)所 | 代理人 | 侯宇 |
摘要 | 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(HS),它包括至少一個(gè)α碳化硅區(qū)(3、10、11)和一個(gè)例如為氧化層的電絕緣區(qū)(13a)以及一個(gè)在它們之間的界面(20)。通過(guò)為至少一個(gè)鄰近界面的區(qū)選擇一種能帶寬度比6H碳化硅多型的能帶寬度小的α碳化硅多型,提高了在此區(qū)內(nèi)載流子的遷移率。 |