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河北半導體研究所：具有最先進的高射頻功率密度的(001)金剛石上的氫端金剛石MOSFET

金剛石具有良好的電學和熱學性能，被認為是高頻、大功率電子器件的終極半導體材料，金剛石場效應晶體管（FET）具有廣闊的應用前景。高頻大功率電子器件基本上要求具有低缺陷密度...

日期 2022-10-18   

?(0?0?1) 單晶金剛石上的氫端金剛石 MOSFET，具有最先進的高射頻功率密度

?(0?0?1) 單晶金剛石上的氫端金剛石 MOSFET，具有最先進的高射頻功率密度
?(0?0?1) 單晶金剛石上的氫端金剛石 MOSFET，具有最先進的高射頻功率密度
?(0?0?1) 單晶金剛石上的氫端金剛石 MOSFET，具有最先進的高射頻功率密度

金剛石場效應晶體管(FET)在高頻、大功率電子器件中具有巨大的應用潛力。對于高頻大功率電子器件，基本要求低缺陷密度的晶圓級單晶半導體材料。(001)取向單晶金剛石是最有...

日期 2022-07-13   
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