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天岳先進申請大尺寸金剛石的拼接生長方法專利，提高單晶金剛石的質(zhì)量和尺寸

金融界2024年6月7日消息，天眼查知識產(chǎn)權(quán)信息顯示，山東天岳先進科技股份有限公司申請一項名為“一種大尺寸金剛石的拼接生長方法“，公開號CN202410579038.2...

日期 2024-06-07   

改進的化學氣相沉積生長方法，消除雜質(zhì)，制備單層單晶石墨烯！

改進的化學氣相沉積生長方法，消除雜質(zhì)，制備單層單晶石墨烯！
改進的化學氣相沉積生長方法，消除雜質(zhì)，制備單層單晶石墨烯！
改進的化學氣相沉積生長方法，消除雜質(zhì)，制備單層單晶石墨烯！

科學家們研究了一個真正的單層，即大面積石墨烯薄膜覆蓋在大面積銅箔上。改進了化學氣相沉積(CVD)生長方法，消除了石墨烯生長在銅箔上的所有碳雜質(zhì)。這種均勻“完美”的單層單...

日期 2019-09-05   
具有半導體性質(zhì)Ⅱb型金剛石單晶的人工生長方法及裝置

具有半導體性質(zhì)Ⅱb型金剛石單晶的人工生長方法及裝置

申請?zhí)枺?01610005448.1申請人：濟南中烏新材料有限公司發(fā)明人：王篤福王盛林王希江潘子明王希瑋徐昌摘要...

日期 2016-06-20   

金剛石同質(zhì)外延橫向生長方法

申請?zhí)枺?01510023907.4申請人：王宏興發(fā)明人：王宏興李碩業(yè)王瑋張景文卜忍安侯洵摘要：本

日期 2015-06-03   

金剛石薄膜生長方法是怎樣分類的？

答：金剛石薄膜的生長方法有很多種，歸納起來可分為兩大類。一類是化學氣相沉積方法，簡稱CVD；另一類是物理氣相沉積方法，簡稱PVD法。這兩類方法中，前者多使用真空度不高但...

日期 2012-12-06   

一種高致密納米金剛石薄膜的生長方法

專利號：201110119079申請人：天津理工大學技術(shù)簡要說明：一種高致密納米金剛石薄膜的生長方法，采用多步生長法來沉積納米金剛石薄膜，具體步驟如下：

日期 2012-06-04   

一種高致密納米金剛石薄膜的生長方法

專利號：CN102212795A申請人：天津理工大學一種高致密納米金剛石薄膜的生長方法，采用多步生長法來沉積納米金剛

日期 2012-04-12   

單晶硅上大面積(100)取向的金剛石膜的生長方法

名稱單晶硅上大面積(100)取向的金剛石膜的生長方法公開號1132267公開日1996.10.02主分類號C23C1

日期 2010-12-10   

一種寶石級立方金剛石晶體的連續(xù)生長方法

名稱一種寶石級立方金剛石晶體的連續(xù)生長方法公開號1085611公開日1994.04.20主分類號C30B29/04&

日期 2010-12-09   
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2023年9月20日，時隔四年，期待已久的第六屆磨料磨具磨削展覽會在鄭州國際會展中心隆重開幕。本次展覽會由中國機械工業(yè)集團有限公司、國機精工股份有限公司、中國機械國際合作股份有限公司聯(lián)合主辦。旨在推動中國磨料磨具行業(yè)的快速發(fā)展，加強國內(nèi)外企業(yè)的交流與合作。