目前金剛石線在多晶切割中的技術(shù)瓶頸已基本解決，生產(chǎn)正快速轉(zhuǎn)換為金剛石線切割。

       （一）金剛石線在多晶產(chǎn)業(yè)應(yīng)用中的現(xiàn)狀及未來趨勢：

       1、歷史：金剛石線切割多晶硅片面臨斷線風(fēng)險(xiǎn)和制絨困難兩大問題：

       （1）斷線：鑄錠晶體中存在的硬點(diǎn)可能會(huì)在切割過程中造成斷線;

       （2）制絨：金剛石線固結(jié)切割方式導(dǎo)致切割后的硅片表面損傷程度較淺、表面劃痕密，從而導(dǎo)致了更高的反射率損傷層淺，沿用現(xiàn)行酸性濕法制絨后依然存在較高的反射率，制成電池后效率比砂漿切割硅片低了將近0.4 個(gè)百分點(diǎn)。

       2、現(xiàn)狀：金剛石線+黑硅的組合技術(shù)能基本解決這一問題；

       3、未來：主要多晶硅企業(yè)開始大規(guī)模推廣金剛石線+黑硅技術(shù)推廣，預(yù)計(jì)2018年將基本完成對砂漿切割的替換。但無論如何，在多晶硅行業(yè)技術(shù)升級和成本下降的巨大壓力推動(dòng)下，金剛石線切割技術(shù)通過疊加黑硅技術(shù)在多晶領(lǐng)域已經(jīng)開始獲得規(guī)?；瘧?yīng)用?？紤]到原有砂漿切割資產(chǎn)投入較大，而金剛石線改造成本較低，大部分多晶硅企業(yè)可能采用對原有設(shè)備進(jìn)行改進(jìn)的方式

       （二）黑硅制絨技術(shù)

       近幾年，主要多晶硅企業(yè)開始探索解決的辦法，一種比較受認(rèn)可的途徑是，在多晶硅電池片環(huán)節(jié)采用黑硅技術(shù)。黑硅電池，核心是通過刻蝕技術(shù)，一方面在常規(guī)硅片表面制絨的基礎(chǔ)上形成納米級的小絨面，從而加大陷光的效果降低反射率，增加對光的吸收；另一方面，通過二次刻蝕來降低表面復(fù)合，從而將常規(guī)電池的轉(zhuǎn)換效率絕對值提高。

       黑硅制絨特點(diǎn)：

       硅片選擇性不強(qiáng)；更低的表面反射率；電池組件產(chǎn)品外觀優(yōu)秀；電池表面鈍化技術(shù)難度增加；需考慮組件CTM損失匹配。

       黑硅制絨實(shí)現(xiàn)方式：

       反應(yīng)離子刻蝕法（RIE）；金融輔助化學(xué)腐蝕法（MACE）；圖形掩膜化學(xué)腐蝕法；激光法。

       1、干法RIE黑硅

       干法黑硅實(shí)現(xiàn)模式有三種：

       （1）RIE模式：物理轟擊＞化學(xué)反應(yīng)，行程類金字塔形貌；

       （2）ICP模式：化學(xué)反應(yīng)＞物理轟擊，行程類似倒金字塔形貌；

       （3）純化學(xué)反應(yīng)，無需去損傷工藝。

       2、濕法MACE黑硅

       工藝流程：SDE（表面去損傷刻蝕）——HF/H202/AgNO3（金屬多孔層形成）——HF/HNO3/H2O（酸溶液刻蝕）——Surface etching（擴(kuò)孔）——HF/HCI，SC-2（金屬清洗去除）。

       目前影響濕法工藝量產(chǎn)的主要因素在于金屬離子的去除，制絨工藝的穩(wěn)定性及重復(fù)性。

       （三）金剛石線切割多晶硅片制絨添加劑原理

       添加劑的主要成分：硅基表面活性劑、有機(jī)消泡劑等。

       （四）不同金剛石線切割多晶硅片制絨技術(shù)路線對比

       1、技術(shù)性能對比

       添加劑方案效率損失約0.1%；濕法黑硅效率增益約0.25%~0.4%；RIE效率增益約0.5%~0.7%。

       2、制絨方案QE曲線分析對比

       濕法黑硅因其較小的絨面，在短波段的EQE最佳；干法黑硅在長波和短波均有一定提升；直接制絨與常規(guī)砂漿切割多晶常規(guī)酸制絨類似，長波反射率高于常規(guī)砂漿酸制絨片。

       3、電池外觀對比

       添加劑方案電池外觀整體均勻，略有發(fā)亮，表面一致；RIE外觀發(fā)黑，均勻一致，表現(xiàn)最佳；MACE電池外觀略有晶花，組件封裝后不明顯。

       4、三種方案產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用對比

       5、組件性能對比

       6、組件外觀對比