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官方微信摘要 名稱(chēng)金剛石單晶薄膜的制造方法公開(kāi)號(hào)1096548公開(kāi)日1994.12.21主分類(lèi)號(hào)C23C16/26
| 名稱(chēng) | 金剛石單晶薄膜的制造方法 | ||
| 公開(kāi)號(hào) | 1096548 | 公開(kāi)日 | 1994.12.21 |
| 主分類(lèi)號(hào) | C23C16/26 | 分類(lèi)號(hào) | C23C16/26;C23C16/56 |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 93112459.X | ||
| 分案原申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 申請(qǐng)日 | 1993.06.17 | |
| 頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | ||
| 申請(qǐng)人 | 上海交通大學(xué) | 地址 | 200030上海市華山路1954號(hào) |
| 發(fā)明人 | 張志明; 李勝華; 蔡琪玉; 閔乃本 | 國(guó)際申請(qǐng) | |
| 國(guó)際公布 | 進(jìn)入國(guó)家日期 | ||
| 專(zhuān)利代理機(jī)構(gòu) | 上海交通大學(xué)專(zhuān)利事務(wù)所 | 代理人 | 羅蔭培 |
| 摘要 | 金剛石單晶薄膜的制造方法，它屬于一種用于半導(dǎo)體材料與器件的金剛石單晶薄膜制造方法。在以氫氣和丙酮為反應(yīng)氣體，用微波等離子體ＣＶＤ或熱絲ＣＶＤ在＜１１１＞取向的金剛石襯底上進(jìn)行同質(zhì)外延過(guò)程中，采用在反應(yīng)氣體中添加適量氧氣和惰性氣體，同時(shí)對(duì)襯底進(jìn)行研磨處理的工藝，結(jié)果能得到平整光滑的，結(jié)晶完整性好的＜１１１＞取向同質(zhì)外延金剛石單晶薄膜?！ ? | ||
豫公網(wǎng)安備41019702003646號(hào)