申請人:北京科技大學
發(fā)明人:何新波 潘彥鵬 任淑彬 吳茂 鄭偉 曲選輝
摘要: 本發(fā)明提供了一種制備具有高體積分數(shù)金剛石/銅復合材料零件的方法,采用鹽浴鍍覆技術在金剛石表面鍍覆一層均勻的Mo2C用來改善金剛石與銅的潤濕性,然后采用化學鍍覆方法繼續(xù)在Mo2C層表面鍍銅,通過控制鍍液中Cu2+含量來控制鍍銅層厚度,從而制備出含銅體積分數(shù)為30~50vol.%的雙鍍層Cu?Mo2C?Diamond粉末。通過超高壓冷壓方法對Cu?Mo2C?Diamond粉末進行成形,并采用真空無壓燒結方法制備Diamond/Cu復合材料零部件。本發(fā)明的優(yōu)點在于可直接制備出具有復雜形狀的高體積分數(shù)(50~70vol.%Diamond/Cu)復合材料零部件,同時,復合材料組織均勻、致密度高,可實現(xiàn)批量生產Diamond/Cu復合材料零件,生產成本低。

2.根據(jù)權利要求1所述的制備具有高體積分數(shù)金剛石/銅復合材料零件的方法,其特征在于:步驟1)所述金剛石與MoO3的摩爾比為10:1~3,金剛石與混合鹽的質量比為1:3~5;反應燒結溫度為1000℃~1100℃,時間為1~3h。
3.根據(jù)權利要求1所述的制備具有高體積分數(shù)金剛石/銅復合材料零件的方法,其特征在于:步驟2)所述化學鍍銅過程如下:將金剛石粉體置于濃度為30g/L的SnCl2去離子水溶液中進行表面敏化,然后置于濃度為0.25g/L的PdCl2去離子水溶液中進行表面活化,最后在配制好的硫酸銅鍍液中進行化學鍍銅;其中硫酸銅鍍液配方為:CuSO4·5H2O(15g/L),37%HCHO水溶液(14ml/L),EDTA(14.5g/L),C4O6H4KNa(14g/L),二聯(lián)吡啶(0.02g/L),亞鐵氰化鉀(0.01g/L);鍍液的酸堿度控制在PH>11,反應溫度控制在43±0.5℃;通過控制硫酸銅鍍液的用量制備出含銅體積分數(shù)不同的雙鍍層Cu-Mo2C-Diamond粉末。
4.根據(jù)權利要求2所述的制備具有高體積分數(shù)金剛石/銅復合材料零件的方法,其特征在于:所述Cu-Mo2C-Diamond雙鍍層金剛石粉末含銅體積分數(shù)為30~50vol.%,鍍銅過程所需硫酸銅鍍液的量為0.286~0.668L/g,鍍覆時間為1~6h。
5.根據(jù)權利要求1所述的制備具有高體積分數(shù)金剛石/銅復合材料零件的方法,其特征在于:步驟3)所述冷壓機壓力為0.8~3.2GPa,保壓時間為5~15min。
6.根據(jù)權利要求1所述的制備具有高體積分數(shù)金剛石/銅復合材料零件的方法,其特征在于:步驟4)所述鎢絲真空爐真空燒結溫度為950℃~1050℃,燒結時間為0.5~2h。