申請人:哈爾濱工業(yè)大學(xué)
發(fā)明人:甘陽 申健 張丹 朱玉蓉 張飛虎
摘要:采用AFM金剛石探針對陶瓷材料進行納米條紋陣列加工的方法,它涉及一種對超硬陶瓷材料局部進行超細(xì)納米條紋陣列結(jié)構(gòu)加工的方法。本發(fā)明是為了解決超硬陶瓷材料化學(xué)惰性高、硬度大,難加工的技術(shù)問題。本方法如下:一、制備AFM金剛石針尖;二、AFM金剛石針尖對超硬陶瓷材料(SiC單晶)表面刻劃。本發(fā)明是一種對超硬陶瓷材料進行超細(xì)納米條紋陣列結(jié)構(gòu)加工的方法,能直觀地觀察金剛石晶體對超硬陶瓷材料的刻劃情況,在超硬陶瓷材料表面刻劃出超細(xì)納米條紋陣列(條紋寬度低至15nm),具有重復(fù)性好、效率高等優(yōu)點。本發(fā)明屬于對超硬陶瓷材料進行超細(xì)納米條紋陣列結(jié)構(gòu)加工的領(lǐng)域。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述采用AFM金剛石探針對陶瓷材料進行納米條紋陣列加工的方法,其特征在于步驟二中所述的超硬陶瓷材料為碳化硅單晶,莫氏硬度為9.5級。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述采用AFM金剛石探針對陶瓷材料進行納米條紋陣列加工的方法,其特征在于步驟二中所述的超硬陶瓷材料為碳化硼,莫氏硬度為9.3級。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述采用AFM金剛石探針對陶瓷材料進行納米條紋陣列加工的方法,其特征在于步驟二中AFM的設(shè)定電壓值為3~9V。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述采用AFM金剛石探針對陶瓷材料進行納米條紋陣列加工的方法,其特征在于步驟二中AFM的設(shè)定電壓值為4~8V。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述采用AFM金剛石探針對陶瓷材料進行納米條紋陣列加工的方法,其特征在于步驟二中AFM的設(shè)定電壓值為5~7V。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述采用AFM金剛石探針對陶瓷材料進行納米條紋陣列加工的方法,其特征在于步驟二中AFM的設(shè)定電壓值為6V。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述采用AFM金剛石探針對陶瓷材料進行納米條紋陣列加工的方法,其特征在于步驟二中采用AFM接觸模式在超硬陶瓷材料表面進行刻劃10~60min。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述采用AFM金剛石探針對陶瓷材料進行納米條紋陣列加工的方法,其特征在于步驟二中采用AFM接觸模式在超硬陶瓷材料表面進行刻劃1.5~4h。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述采用AFM金剛石探針對陶瓷材料進行納米條紋陣列加工的方法,其特征在于步驟二中采用AFM接觸模式在超硬陶瓷材料表面進行刻劃2.5h。