申請(qǐng)?zhí)枺?01610789664.X
　　申請(qǐng)人：浙江工業(yè)大學(xué)
　　發(fā)明人：李曉 胡曉君 馮濤 章航程

　　摘要：本發(fā)明提供了一種亞穩(wěn)奧氏體不銹鋼表面制備金剛石薄膜的方法，所述方法為：通過(guò)磁控濺射技術(shù)在經(jīng)過(guò)噴砂處理的亞穩(wěn)奧氏體不銹鋼表面沉積Cr/CrN過(guò)渡層，再將表面沉積有Cr/CrN過(guò)渡層的奧氏體不銹鋼先浸沒(méi)于金剛石微粉的丙酮懸浮液中超聲振蕩，然后浸沒(méi)于丙酮中超聲振蕩，干燥后，通過(guò)化學(xué)氣相沉積工藝，在Cr/CrN過(guò)渡層上沉積金剛石薄膜，制得成品；本發(fā)明制備的金剛石薄膜具有良好的膜基結(jié)合強(qiáng)度，以HR?150A洛氏硬度計(jì)在150Kgf壓頭作用下，壓痕表面未出現(xiàn)裂紋或損傷。

　　主權(quán)利要求：1.一種亞穩(wěn)奧氏體不銹鋼表面制備金剛石薄膜的方法，其特征在于，所述方法按如下步驟進(jìn)行：(1)對(duì)亞穩(wěn)奧氏體不銹鋼表面進(jìn)行噴砂處理，所述噴砂處理采用30～320目的玻璃砂，工作壓力為0.1～0.5MPa，噴砂時(shí)間為1～30min；(2)通過(guò)磁控濺射技術(shù)在經(jīng)過(guò)步驟(1)處理的亞穩(wěn)奧氏體不銹鋼表面沉積Cr/CrN過(guò)渡層，操作方法為：將經(jīng)過(guò)步驟(1)處理的亞穩(wěn)奧氏體不銹鋼置于非平衡磁控濺射儀中，先用Ar等離子體清洗，基體偏壓為400～500V，時(shí)間為20～30min；再沉積Cr層，基體偏壓為60～100V，沉積時(shí)間為10～150min；然后在真空室中通入氮?dú)?，進(jìn)行CrN反應(yīng)磁控濺射沉積，N2的體積流量在90～1200min的沉積時(shí)間內(nèi)從20sccm逐漸升高到30sccm，得到表面沉積有Cr/CrN過(guò)渡層的奧氏體不銹鋼；(3)將步驟(2)所得表面沉積有Cr/CrN過(guò)渡層的奧氏體不銹鋼先浸沒(méi)于金剛石微粉的丙酮懸浮液中，20～80KHz超聲振蕩5～40min，再浸沒(méi)于丙酮中，20～80KHz超聲振蕩1～30s，干燥后，通過(guò)化學(xué)氣相沉積工藝，在沉積溫度600～700℃、沉積氣壓1.3～6KPa、偏流1～4A、丙酮載氣與氫氣流量比為0.3～0.45：1、沉積時(shí)間60～180min的條件下，在Cr/CrN過(guò)渡層上沉積金剛石薄膜，制得成品。
　　2.如權(quán)利要求1所述的亞穩(wěn)奧氏體不銹鋼表面制備金剛石薄膜的方法，其特征在于，步驟(1)中，所述的亞穩(wěn)奧氏體不銹鋼為200系列Cr-Mn型奧氏體不銹鋼或300系列Cr-Ni型奧氏體不銹鋼。
　　3.如權(quán)利要求1所述的亞穩(wěn)奧氏體不銹鋼表面制備金剛石薄膜的方法，其特征在于，步驟(1)中，所述的亞穩(wěn)奧氏體不銹鋼的產(chǎn)品牌號(hào)為201、202、301或304。
　　4.如權(quán)利要求1所述的亞穩(wěn)奧氏體不銹鋼表面制備金剛石薄膜的方法，其特征在于，步驟(3)中，所述金剛石微粉的粒度為W0.2～W2。
　　5.如權(quán)利要求1所述的亞穩(wěn)奧氏體不銹鋼表面制備金剛石薄膜的方法，其特征在于，步驟(3)中，所述金剛石微粉的丙酮懸浮液的濃度為0.005～0.02g/mL。